Патенти з міткою «кремнієвої»

Номер патенту: 39868

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Попов Валентин Георгійович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Борис Миколайович, Хацевич Ігор Мирославович, Мельник Павло Вікентієвич

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: кремнієвої, виготовлення, фотолюмінесцентної, структури, нанокластерної, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає напилення на Si підкладку, методом термічного розпилення мішені, плівки SiOx (x=1,4-1,6), формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері Аr та низькотемпературний відпал в атмосфері, що містить азот, який відрізняється тим, що спочатку проводять формуючий нанокластерну структуру відпал в атмосфері аргону при температурі 1050-1200 °С впродовж...

Номер патенту: 85477

Опубліковано: 26.01.2009

Автори: Попов Валентин Георгійович, Оберемок Олександр Степанович, Гамов Дмитро Вікторович, Хацевич Ігор Мирославович, Романюк Борис Миколайович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Мітки: нанокластерної, структури, кремнієвої, спосіб, виготовлення, фотолюмінесцентної

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотолюмінесцентної кремнієвої нанокластерної структури, який включає нанесення на Si підкладку методом плазмохімічного осадження з газової фази плівки SiOx із показником заломлення n від 1,5 до 1,78 та відпал отриманої структури в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що перед відпалом в плівку SiOx методом іонної імплантації вводять іони Аl+, дози яких складають від 0,4х1016 до 1,15х1016 іонів/см2, а відпал...

Номер патенту: 38037

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: ТЕЛІН ВЛАДИСЛАВ ВОЛОДИМИРОВИЧ, Шварцман Леонід Якович, Рябець Микола Іванович, Березенко Леонід Євгенійович, Богомаз Анатолій Володимирович, ТЕСЛЕВИЧ СЕРГІЙ МИХАЙЛОВИЧ, Рябець Олексій Миколайович, ДАВИДОВ СЕРГІЙ ІВАНОВИЧ

МПК: B22D 27/04, B22D 15/00

Мітки: кремнієвої, одержання, методом, спосіб, пластини, лиття

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кремнієвої пластини методом лиття, який включає завантаження кремнію в кварцовий тигель, розплавлення його у вакуумі, заливання розплаву в нагріту ливарну форму, направлену кристалізацію кремнію і наступне регульоване охолодження виливка, який відрізняється тим, що перед заливанням розплаву в ливарну форму розплав витримують при температурі 1420-1450 °С у вакуумі, який дорівнює 5×10-3 - 1×10-5мм рт.ст., протягом...

Номер патенту: 80969

Опубліковано: 26.11.2007

Автор: Крос Віллем Адріанос

МПК: C01B 33/143, C05G 3/00, C05G 5/00 ...

Мітки: застосування, розчин, неколоїдної, кремнієвої, водний, борної, одержання, спосіб, кислот

Формула / Реферат:

1. Водний розчин, що містить борну та неколоїдну кремнієву кислоту, а також добавку, що абсорбує воду, де кремній у вигляді стабілізованих олігомерів кремнієвої кислоти, які мають розмір, менший, ніж 4 нм, присутній у концентрації від 0,01 до 2 мас. %, а бор у вигляді борної кислоти присутній у концентрації від 0,0001 до 4 мас. %, при цьому розчин має значення рН нижче 2.2. Розчин згідно з п. 1, який відрізняється тим, що здатний до...

Номер патенту: 19633

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Потапенко Сергій Іванович, Марінченко Віктор Опанасійович, Костюк Олександр Миколайович, Костюк Ігор Олександрович

МПК: C02F 1/46

Мітки: питної, одержання, пристрій, кремнієвої, води

Формула / Реферат:

Пристрій для одержання кремнієвої питної води, що містить діафрагмовий електролізер з анодною і катодною камерами, який виконаний з можливістю здійснення впливу на воду шляхом дії постійного електричного струму на електроди, який відрізняється тим, що анод виготовлений з кремнію або титану, покритого діоксидом марганцю.

Номер патенту: 36917

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 29/40

Мітки: мілкозалегаючим, багатошарова, переходом, система, структури, контактна, кремнієвої

Текст:

...рівняння: T1=T 2+DRT×P (4) DRT - гранично допустиме значення теплового опору бар'єрного шару; Р - потік тепла через бар'єрний шар. Вирішуючи (2) відносно L, знаходимо гранично максимальну товщин у бар'єрного шару: м3 Q - кількість речовини, накопиченої на поверхні розділу метал-бар'єрний шар, атом . м3 2 Новими ознаками, які має дане технічне рішення порівняно з прототипом, є виконання бар'єрного шару з певним відношенням титану до азоту і...