Грицюк Богдан Миколайович

Номер патенту: 82724

Опубліковано: 12.08.2013

Автори: Нічий Сергій Васильович, Політанський Леонід Францович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: H01L 23/32

Мітки: спосіб, шотткі, створення, бар'єрів

Формула / Реферат:

Спосіб створення бар'єрів Шотткі за допомогою лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що в область формування бар'єра на поверхню напівпровідникового матеріалу попередньо наносять розчин солі металу, з роботою виходу електрона, що забезпечує отримання випрямляючого контакту з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує термічний відпал...

Номер патенту: 69106

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Громко Євген Дмитрович, Нічий Сергій Васильович

МПК: H01L 21/263

Мітки: створення, напівпровідникових, спосіб, матеріалів, контактів, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до напівпровідникових матеріалів, шляхом обробки поверхні напівпровідника імпульсним лазерним випромінюванням, який відрізняється тим, що в область формування контакту попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона якого забезпечує омічний контакт з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує проплавку...

Номер патенту: 32619

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Юрійчук Іван Миколайович, Грицюк Богдан Миколайович

МПК: C30B 13/00, C30B 29/10

Мітки: затравлювання, пристрій, кристалів

Формула / Реферат:

1. Пристрій для затравлювання кристалів при вирощуванні методом Чохральського на основі циліндричного пустотілого патрона, який відрізняється тим, що патрон між зовнішньою і внутрішньою стінками конічних наконечників містить кристалотримач у вигляді перевернутого, зрізаного, пустотілого конуса, а в центральній частині конуса містить радіаційний тепловідвід.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що кристалотримач виготовлено...

Номер патенту: 32716

Опубліковано: 26.05.2008

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Грицюк Богдан Миколайович, Раранський Микола Дмитрович

МПК: C30B 13/00

Мітки: горизонтально, сполук, методом, отримання, перекристалізації, зонної, процес, напівпровідникових, монокристалів

Формула / Реферат:

Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження...

Номер патенту: 25162

Опубліковано: 25.07.2007

Автори: Грицюк Богдан Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: G01R 27/00, H01L 35/00

Мітки: вирощування, чохральського, матеріалів, термоелектричних, якості, контролю, система, методом, процесу

Формула / Реферат:

1. Система контролю якості процесу вирощування термоелектричних матеріалів, яка відрізняється тим, що містить оптичний освітлювач, прилад для концентрації та відображення об'єктів кристалізації, фотоелектричний приймач перетворювання оптичного сигналу в електричний, комп'ютер для його обробки з подальшими записами у пам'ять, а також пристрій для оптичного відображення контрольованих об'єктів кристалізації.2. Система за п. 1, яка...