Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 32716
Опубліковано: 26.05.2008
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Раранський Микола Дмитрович, Грицюк Богдан Миколайович
Формула / Реферат
Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації, який складається з етапів попереднього синтезу вихідних матеріалів, подальшого перезавантаження разом з монокристалічною затравкою, затравлювання та зонного вирощування при прямому та зворотному русі зонного нагрівача, який відрізняється тим, що по закінченні кожного з проходів зонний нагрівач переміщують від кінця та початку завантаження на відстань, яка дорівнює ширині розплавленої зони.
Текст
Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом 3 32716 4 зонній перекристалізації на відповідній установці. русі зонного нагрівача, який полягає в тому, що по Перекристалізацію проводять при температурі закінченні кожного з проходів зонний нагрівач 729К при швидкості переміщення зонного переміщують від кінця та початку завантажування нагрівача 10мм/год. Перший прохід зонного на відстань, яка дорівнює ширині розплавленої нагрівача після затравлення проводиться від зони. До такого висновку нас привів результат затравки до кінця синтезованого злитка. По його великого об'єму технологічних та фізико-хімічних закінченню зонний нагрівач переміщують від кінця досліджень. Ця обставина в кінцевому рахунку злитку на відстань d, що дорівнює ширині забезпечує запропонованому рішенню необхідний розплавленої зони, яка створюється зонним "винахідницький рівень". нагрівачем. Другий прохід зонного нагрівача Промислове використання запропонованого проводять при зворотному русі в напрямку до процесу не вимагає спеціальної технології і початку злитка, тобто до монокристалічної обладнання. Його реалізація можлива на існуючих затравки. По досягненню початку злитка зонний підприємствах приладобудівного напрямку. нагрівач також переміщують на відстань d в На Фіг.1 представлена схематично конструкція напрямку до кінця злитка, після чого проводять ампули з загрузкою і зонним нагрівачем та перекристалізацію в зворотному напрямку (етапи І, напрямки руху при першому (І), другому (II) і II, III Фіг.1). По закінченню третього проходу зонний третьому (III) проходах зонного нагрівача. Згідно нагрівач охолоджують, а кристал піддають цього рисунку в ампулі 1 розміщено човник подальшій обробці різці, шліфуванню, прямокутної форми 2 з графіту, в якому міститься поліруванню та хімічному травленню. затравка 3. Внутрішній об'єм човника 2 містить Вимірювання коефіцієнта оптичного полікристалічний синтезований матеріал 4. В місці стику затравки - полікристалічний матеріал 4 з поглинання a та анізотропії коефіцієнта термо зовнішньої сторони ампули 1 розміщено зонний е.р.с. b класичними методами показало, що нагрівач 5, який створює розплавлену зону 6. отримані за вищеописаним процесом кристали Нижче ампули представлено відстані, які характеризуються наступними величинами проходить зонний нагрівач 5 після першого, a
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюProcess for obtaining of monocrystals of semi-conductor compounds by method for horizontal zone recrystallization
Автори англійськоюAscheulov Anatolii Anatoliiovych, Hrytsiuk Bohdan Mykolaiovych, Raranskyi Mykola Dmytrovych
Назва патенту російськоюПроцесс получения монокристаллов полупроводниковых соединений методом горизонтальной зонной перекристаллизации
Автори російськоюАщеулов Анатолий Анатольевич, Грицюк Богдан Николаевич, Раранский Николай Дмитриевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 13/00
Мітки: процес, напівпровідникових, методом, монокристалів, перекристалізації, зонної, отримання, горизонтально, сполук
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-32716-proces-otrimannya-monokristaliv-napivprovidnikovikh-spoluk-metodom-gorizontalno-zonno-perekristalizaci.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Процес отримання монокристалів напівпровідникових сполук методом горизонтальної зонної перекристалізації</a>
Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту методом вертикальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 36796
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Романюк Ігор Степанович
МПК: C30B 13/00
Мітки: перекристалізації, спосіб, зонної, розчинів, основі, телуриду, отримання, монокристалів, методом, вертикальної, вісмуту, твердих
Текст:
...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...
Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів bi-te-se-sb методом вертикальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 66128
Опубліковано: 15.04.2004
Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: C30B 13/00
Мітки: перекристалізації, методом, зонної, монокристалів, твердих, спосіб, розчинів, bi-te-se-sb, вертикальної, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання монокристалів твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb методом вертикальної зонної перекристалізації, що включає етапи підготовки наважки, її синтез та подальшу перекристалізацію, який відрізняється тим, що формоутворювач вкладається в контейнер з наважкою на етапі її підготовки, її синтез та застигання проводяться при фіксації формоутворювача у верхньому та нижньому положеннях контейнера відповідно, при цьому перекристалізація злитка...
Спосіб отримання легованих монокристалів кремнію методом індукційної безтигельної зонної плавки та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 8250
Опубліковано: 29.03.1996
Автори: Фалькевич Едуард Семенович, Дудченок Володимир Васильович, Червоний Іван Федорович, Сілаков Григорій Іванович, Осовський Михайло Йосипович, Дудавський Сергій Ісаєвич, Трубіцин Юрій Васильович
МПК: C30B 13/00
Мітки: індукційної, здійснення, спосіб, легованих, зонної, безтигельної, плавки, кремнію, методом, отримання, пристрій, монокристалів
Формула / Реферат:
1. Способ получения легированных монокристаллов кремния методом индукционной бестигельной зонной плавки, включающий размещение исходного стержня в камере выращивания, вакууми-рование камеры выращивания, расплавление исходного стержня и дозированную подачу легирующего элемента соплом к зоне расплава, отличающийся тем, что в процессе вакуумирования производят дополнительное осушивание камеры выращивания и технологической оснастки, а...
Електричний нагрівник установки вертикальної зонної перекристалізації
Номер патенту: 32302
Опубліковано: 12.05.2008
Автор: Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: F27D 11/00
Мітки: нагрівник, перекристалізації, зонної, установки, вертикальної, електричний
Формула / Реферат:
Електричний нагрівник, що складається з електропровідного дроту, стрічки, плівки або трубки для технологічних установок термічної дії, який відрізняється тим, що його поверхня містить антиоксидний шар титану.
Спосіб одержання бездислокаційних монокристалів кремнію методом безтигельної зонної плавки
Номер патенту: 8247
Опубліковано: 29.03.1996
Автори: Червоний Іван Федорович, Сілаков Григорій Іванович, Дудченок Володимир Васильович, Фалькевич Едуард Семенович
МПК: C30B 13/00, C30B 15/20
Мітки: зонної, плавки, кремнію, безтигельної, бездислокаційних, одержання, монокристалів, спосіб, методом
Формула / Реферат:
Способ получения бездислокационных монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, включающий выращивание на затравке тонкой "шейки", разращивание конической части монокристалла до заданного диаметра и последующее выращивание цилиндрической части монокристалла диаметром D, при использовании индуктора с внутренним диаметром d, меньшим величины D, отличающийся тем, что разращивание конической части монокристалла до...
Попередній патент: Пересувний пункт харчування “піцерія-багетерія”
Наступний патент: Різьбовий калібр для контролю внутрішньої різьби
Випадковий патент: Спосіб визначення активності макрофагальної еластази