Спосіб створення бар’єрів шотткі

Реферат: UA 82724 U UA 82724 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 Корисна модель належить до способів отримання бар'єрів Шотткі, які використовуються в наукових дослідженнях та виготовлення діодів Шотткі під час виробництва напівпровідникових електронних приладів та інтегральних мікросхем. Відомий спосіб отримання діодів Шотткі на арсеніді галію, в якому на сформовану методом фотолітографії область бар'єра наносять багатокомпонентну металічну плівку Au-Ge термічним напиленням з наступною термообробкою при температурах 390-410 °C [1]. Найбільш близькими до запропонованого способу є спосіб виготовлення діодів Шотткі на основі телуриду кадмію, який включає механічну та хімічну обробку пластину телуриду кадмію, створення бар'єра вакуумним напиленням та опромінення області формування бар'єра імпульсним лазерним випромінюванням [2]. Проте дані способи мають недоліки, які вливають на якість бар'єрів Шотткі: 1. При їх виготовленні застосовують два різні технологічні процеси: термічне напилення та термічну обробку, що ускладнює контроль технологічних параметрів. 2. Область формування бар'єра Шотткі між процесами піддаються дії навколишнього середовища, що впливає на його характеристики. В основу корисної моделі поставлена задача: 1. Покращення якості бар'єрів Шотткі завдяки зменшенню кількості технологічних операцій. 2. Забезпечення кращої відтворюваності технологічних процесів при формуванні бар'єрів Шотткі завдяки спрощенню контролю технологічних параметрів. 3. Здешевлення процесу отримання бар'єра Шотткі. Поставлена задача вирішується тим, що в область формування бар'єра Шотткі на поверхню напівпровідникового матеріалу попередньо наносять розчин солі металу, робота виходу електрона з якого забезпечує отримання випрямляючого контакту з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує термічний відпал напівпровідникового матеріалу, з одночасним прикладанням електричного поля між розчином солі і напівпровідниковим матеріалом. На кресленні представлена вольт-амперна характеристики бар'єрів Шотткі, отриманих запропонованим способом, сформованих на Ge р-типу з використанням: 1 - розчину CuSO4, 2 розчину ZnCl2. Реалізація запропонованого способу базується на наступних положеннях. В розчині солі металу присутні іони металу і основи. Внаслідок дії електричного поля іони внаслідок електрохімічного осадження утворюють плівку на поверхні напівпровідника, а лазерне випромінювання забезпечує термічний відпал напівпровідникового матеріалу з отриманою плівкою для покрашення адгезії. Запропонованим способом отримано бар'єри Шотткі на напівпровідниковому матеріалі Ge ртипу. Для отримання бар'єрів Шотткі використовували розчини солей CuSO 4 і ZnCl2. На поліровану пластину власного Ge наносили каплю відповідного насиченого розчину, після чого з одночасним прикладенням електричного поля (5-20 В) та дією імпульсного розфокусованого випромінюванням Nd:YAG-лазера (параметри випромінювання: Р=5÷10 Вт/імп., τім=1,5 млс, vім=15÷30 Гц) за допомогою 3÷10 імпульсів термічно відпалювали систему металнапівпровідник. Вигляд ΒΑΧ (вольт-амперна характеристика) бар'єрів Шотткі, отриманих із застосуванням різних розчинів, представлений на кресленні. Вольт-амперні характеристики бар'єрів Шотткі, сформованих на Ge р-типу з використанням: 1 - розчину CuSO4, 2 - розчину ZnCl2. Даний спосіб в порівнянні з відомими має наступні переваги: - отримання бар'єра Шотткі за одну технологічну операцію при кімнатних температурах; - високу відтворюваність технологічного процесу. Запропонований технологічний процес здешевлює технологію створення бар'єрів Шотткі при виробництві електронної та мікроелектронної апаратури та підвищує якісні характеристики. Джерела інформації: 1. Бляшко Ю.Р., Душева Л.Н. Патент RU 2197767 С1. 2. Воробець Г.І., Воробець О.І., Добровольський Ю.Г. Патент UA 17438 U. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 55 60 Спосіб створення бар'єрів Шотткі за допомогою лазерного випромінювання, який відрізняється тим, що в область формування бар'єра на поверхню напівпровідникового матеріалу попередньо наносять розчин солі металу, з роботою виходу електрона, що забезпечує отримання випрямляючого контакту з напівпровідником, після чого проводять обробку даної області поверхні імпульсним лазерним випромінюванням з енергією, яка забезпечує термічний відпал 1 UA 82724 U напівпровідникового матеріалу, з одночасним прикладанням електричного поля між розчином солі і напівпровідниковим матеріалом. Комп’ютерна верстка В. Мацело Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2