Маскович Степан Михайлович

Номер патенту: 11381

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Маскович Степан Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Насипайко Олександр Васильович, Шпакович Роман Степанович

МПК: C30B 25/02, C30B 35/00

Мітки: нанесення, захисного, кварцеві, шару, спосіб, лодочи

Формула / Реферат:

Способ нанесения защитного слоя на кварце­вые лодочки осаждением из газовой фазы, содер­жащей соединение кремния, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности структур, обрабатываемых в лодочках при формировании ди­электрических пленок, и повышения износостойкости лодочек, в качестве защитного слоя осаждают слой поликремния толщиной не менее 0,2 мкм из газовой смеси аргона с моносиланом или дихлорсиланом при 575-625°С и давлении...

Номер патенту: 11377

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Насипайко Олександр Васильович, Маскович Степан Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Гринюк Іван Дмитрович

МПК: H01L 21/205

Мітки: лодочка, діелектричних, півпровідникові, осадження, плівок, підкладки

Формула / Реферат:

Лодочка для осаждения диэлектрических пленок на полупроводниковые подложки, содер­жащая платформу с пазами, установленную на ро­ликах, отличающаяся тем, что, с целью увели­чения срока службы лодочки и повышения качест­ва диэлектрических пленок, лодочка дополнитель­но снабжена боковой планкой с пазами, неподвижными и съемными экранами, предназна­ченными для установки в пазы платформы вместе с подложками и имеющими диаметр, не меньший диаметра...

Номер патенту: 3900

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Гуменяк Михайло Васильович, Маскович Степан Михайлович, Новосядлий Степан Петрович, Прокіпчин Василь Васильович

МПК: H01L 21/28

Мітки: формування, схем, інтегральних, спосіб, високострумових, біполярних, металізації

Формула / Реферат:

1. Способ формирования металлизации для сильнотоковых биполярных интегральных схем, включающий двухстадийное магнетронное распыление мишени в плазме аргона и смеси аргона и (1-10% вес) моносилана, фотолитографию для создания разводки и контактов, отличающийся тем, что распыление составной мишени, содержащей в массиве основного металла штыри из тугоплавкого или редкоземельного металла, для нанесения нижнего слоя проводят в плазме аргона, а...

Номер патенту: 1775

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Когут Ігор Тимофійович, Маскович Степан Михайлович, Гуменяк Михайло Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Бірковий Юрій Леонідович

МПК: H01L 21/28

Мітки: спосіб, інтегральних, кристалів, схем, металізації, зворотної, стороні

Формула / Реферат:

Способ металлизации обратной стороны кристалла интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами на кристалле, формирование на его нерабочей стороне соединительного слоя из полицида, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью теплоэлектропроводного клея или эвтектики, отличающийся тем, что соединительный слой на обратной стороне формируют...