Сингаївський Олександр Федорович
Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації
Номер патенту: 111560
Опубліковано: 10.05.2016
Автори: Локшин Михайло Маркович, Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович
МПК: C30B 25/00, C30B 35/00, C30B 23/00 ...
Мітки: кристалів, методом, пристрій, вільного, вирощування, сублімації
Формула / Реферат:
Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...
Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом
Номер патенту: 108412
Опубліковано: 27.04.2015
Автори: Пекар Григорій Соломонович, Касинський Євген Ігорович, Сингаївський Олександр Федорович
МПК: C30B 33/04, C22B 41/00, C30B 29/08 ...
Мітки: інструментом, спосіб, вилучення, обробки, ріжучим, кристалів, відходів, металічного, германію
Формула / Реферат:
Спосіб вилучення металічного германію з відходів обробки кристалів германію ріжучим інструментом, який відрізняється тим, що охолоджуючу ріжучий інструмент воду разом з відходами германію, які в ній знаходяться, відстоюють приблизно протягом доби для осадження суспензії порошку великої фракції, рідину зливають у окремі ємності, осаджений порошок виймають з накопичувальної ємності і осушують в інертній атмосфері (перший етап вилучення), до...
Спосіб одержання металічного германію з діоксиду германію
Номер патенту: 94562
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Пекар Григорій Соломонович, Локшин Михайло Маркович, Сингаївський Олександр Федорович
МПК: C22B 41/00, C30B 33/04, C30B 29/08 ...
Мітки: металічного, германію, одержання, діоксиду, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб одержання металічного германію з діоксиду германію напівпровідникової чистоти шляхом хімічного відновлення воднем, який відрізняється тим, що порошок діоксиду германію розташовують у графітовому або кварцовому човнику всередині труби з кварцового скла, нагрівають у потоці водню до температури 650-665 °С, витримують при цій температурі до закінчення процесу конденсування парів води на виході потоку водню, трубу охолоджують, виймають і...
Спосіб нанесення суцільних шарів методом трафаретного друку
Номер патенту: 94561
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Осипьонок Микола Михайлович, Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович
МПК: B41F 15/00, H01L 27/142, H01L 21/20 ...
Мітки: друку, нанесення, трафаретного, шарів, методом, спосіб, суцільних
Формула / Реферат:
1. Спосіб нанесення суцільних шарів для створення сонячних елементів на основі напівпровідникових сполук шляхом трафаретного друку з пасти, яка містить напівпровідниковий матеріал та зв'язувальну речовину (біндер), який відрізняється тим, що пасту наносять безпосередньо на поверхню підкладки, трафарет виконують у вигляді односпрямованих дротів або волокнин, або стрічок у кількості не менше двох, які кріплять або притискають до підкладки...
Спосіб об’ємного контролю матеріалів, прозорих в інфрачервоному (іч) діапазоні випромінювання
Номер патенту: 49480
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Качур Наталія Володимирівна, Сингаївський Олександр Федорович, Венгер Євген Федорович, Локшин Михайло Маркович, Маслов Володимир Петрович, Пекар Григорій Соломонович, Кіндрась Олександр Петрович
МПК: G01N 25/72
Мітки: матеріалів, випромінювання, контролю, інфрачервоному, діапазоні, іч, прозорих, об`ємного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб контролю якості матеріалів, прозорих в ІЧ діапазоні випромінювання, що включає реєстрацію температурного поля зразка за допомогою тепловізійної системи, який відрізняється тим, що зразок додатково опромінюють ультразвуковими коливаннями від УЗ товщиноміра, а реєстрацію температурного поля здійснюють після ІЧ опромінювання через тест-систему, яка виконана у вигляді ґратки з плівкового матеріалу, що відбиває ІЧ випромінювання, яка...
Оптичний германій
Номер патенту: 81729
Опубліковано: 25.01.2008
Автори: Сингаївський Олександр Федорович, Пекар Григорій Соломонович
МПК: C30B 15/00, C30B 33/02, C30B 29/08 ...
Формула / Реферат:
Кристали оптичного германію, що містять електрично-активні атоми донорної домішки у концентрації 1·1013-5·1014см-3, які відрізняються тим, що як донорну домішку використовують натрій.