H01L 29/45 — електроди з провідникові
Спосіб створення омічного контакту до inn
Номер патенту: 108190
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Шеремет Володимир Миколайович, Кладько Василь Петрович, Сай Павло Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Сафрюк Надія Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 29/45, H01L 21/268
Мітки: створення, омічного, спосіб, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...