Шинкаренко Володимир Вікторович
Спосіб створення омічного контакту до inn
Номер патенту: 108190
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Кладько Василь Петрович, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Сай Павло Олегович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Сафрюк Надія Володимирівна
МПК: H01L 29/45, H01L 21/268
Мітки: контакту, омічного, створення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...
Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром
Номер патенту: 105848
Опубліковано: 11.04.2016
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Нелюба Павло Леонідович, Колядіна Олена Юріївна, Венгер Євген Федорович, Конакова Раїса Василівна, Матвєєва Людмила Олександрівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: фотоелектричних, фотоперетворюючим, виготовлення, фулеренвмісним, конверторів, спосіб, шаром
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотоелектричних конверторів з фулеренвмісним фотоперетворюючим шаром, який включає в себе створення нижнього контактоутворюючого шару, фулеренвмісного фотоперетворюючого шару з наступним нанесенням верхнього контактоутворюючого шару, який відрізняється тим, що після нанесення верхнього контактоутворюючого шару додатково проводять мікрохвильовий відпал тривалістю від 0,1 с до 10 годин, емітансом 10-2¸104 Вт/см2 та...
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів
Номер патенту: 101022
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Конакова Раїса Василівна, Басанець Володимир Васильович, Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Болтовець Микола Силович
МПК: G01R 19/28, G01R 31/26, G01R 27/04 ...
Мітки: діодів, лавинно-пролітних, відбраковування, потенційно, ненадійних, спосіб, імпульсних
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...
Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів
Номер патенту: 88970
Опубліковано: 10.04.2014
Автори: Сорокін Віктор Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович
МПК: G01N 25/00, G01N 27/00, G01N 21/00 ...
Мітки: деградації, світлодіодів, спосіб, прогнозування, модулів, світлодіодних
Формула / Реферат:
Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів, що полягає в навантаженні сталим струмом світлодіодних модулів чи світлодіодів, реєстрації інтенсивності свічення L світлодіода чи елементів світлодіодного модуля протягом часу t при різних стабілізованих температурах Тзовн, який відрізняється тим, що додатково вимірюють температуру р-n переходу Твнутр окремого світлодіода чи кожного елемента світлодіодного модуля, яку...
Спосіб вимірювання теплового опору ланок світлодіодної структури
Номер патенту: 76966
Опубліковано: 25.01.2013
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Сорокін Віктор Михайлович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович
МПК: G01N 25/00
Мітки: теплового, ланок, структури, вимірювання, опору, спосіб, світлодіодної
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання теплових параметрів ланок світлодіодної структури, який полягає в вимірюванні залежності температури p-n переходу світлодіода Τ від часу t після включення світлодіодної структури, вимірюванні потужності, що споживає світлодіодна структура Ρ1 і визначенні експериментальних значень Ri теплового опору і часових констант τi кожної з ланок структури, де і - номер ланки, який відрізняється тим, що додатково...
Спосіб виготовлення радіаційностійких композитних матеріалів на основі карбідів і боридів за допомогою нвч обробки
Номер патенту: 67488
Опубліковано: 27.02.2012
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Тоцький Ігор Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Макара Володимир Арсенійович
МПК: C04B 35/56, B22F 3/10, C04B 35/58 ...
Мітки: боридів, виготовлення, нвч, допомогою, радіаційностійких, композитних, обробки, спосіб, матеріалів, основі, карбідів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення радіаційностійких композитних матеріалів на основі карбідів і боридів за допомогою НВЧ обробки, що включає змішування порошків з карбідів і боридів, засипання їх в форму і спікання шляхом термічного відпалу при температурі 1000-2000 °С протягом 0,5-15 хв, який відрізняється тим, що після швидкого термічного відпалу матеріал опромінюють хвилями НВЧ протягом 1 с - 10 хв, потужністю 0,2-15 Вт/см2 з частотою 1,5-15 ГГц при...
Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника
Номер патенту: 55762
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович
МПК: G01R 27/08
Мітки: вимірювання, омічного, напівпровідника, пристрій, контакту, параметрів
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.
Апаратура для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (лпд)
Номер патенту: 47386
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович
МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...
Мітки: апаратура, лавинопрольотних, напівпровідникових, надійності, лпд, діагностики, надпотужних, імпульсних, діодів
Формула / Реферат:
Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...