Коростинська Тетяна Василівна
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тетяна Василівна, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович
МПК: H01L 21/268
Мітки: формування, спосіб, омічного, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...