Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Саченко Анатолій Васильович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Шеремет Володимир Миколайович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/00
Мітки: виготовлення, омічного, спосіб, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Коростинська Тетяна Василівна, Саченко Анатолій Васильович
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічного, формування, спосіб, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...