Аніщик Віктар Міхайлавіч
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Болтовець Микола Силович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/00, H01L 21/268
Мітки: виготовлення, омічного, контакту, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Шеремет Володимир Миколайович, Коростинська Тетяна Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович
МПК: H01L 21/268
Мітки: спосіб, контакту, омічного, формування
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...