Пятліцкая Таццяна Владзіміравна
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Коростинська Тамара Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/00
Мітки: спосіб, контакту, омічного, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Коростинська Тетяна Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Шеремет Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контакту, спосіб, формування, омічного
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...