Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2d наночастинок шаруватих напівпровідників а3в6 і іонних солей мeno3 (me=k, na, rb, cs)

Реферат: Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6. Процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення температури розпаду цих іонних солей на нітрити і нітрати. UA 116894 U (12) UA 116894 U UA 116894 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Корисна модель належить до технології одержання іонотронних нанокомпозитних матеріалів (Zhang Y.J., Yoshida M., Suzuki R., Iwasa U. 2D crystals of transition metal dichalcogenide and their iontronic functionalites //2D Materials. - 2015. - V.2. - P.044004 (18 p.)) на основі напівпровідникових наночастинок з двовимірною (2D) електричною провідністю, нанорозмірних оксидів металів і солей з іонною провідністю. Вона може бути використана у напівпровідниковому приладобудуванні для створення польових транзисторів, оптичних випромінювачів, спінтронних і п'єзоелектричних пристроїв, ефективних фотоперетворювачів і накопичувачів електричної енергії, а також як об'єктів дослідження нових фізичних явищ в системах з електронною і іонною провідністю. Відомий спосіб отримання нанокомпозитних матеріалів з високою іонною провідністю на основі наночастинок оксидів і іонних солей МеNО3 (Ме=K, Na, Rb, Cs) (Uvarov N.F. Composite solid electrolytes: recent advances and design strategies //J Solid State Electrochem. - 2011. - V.15. P. 367-389). Він дозволяє виготовляти ці матеріали шляхом температурного спікання порошків високотемпературних оксидів і іонних солей, які мають низькі температури плавлення. Методом, взятим за основу запропонованого рішення, є впровадження розплавів іонних солей МеNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) RbNO3 у вандерваальсівські щілини об'ємних (3D) шаруватих напівпровідникових кристалів А3В6 (Bakhtinov A.P., Vodopyanov V.N., Kudrynskyi Z.R., Kovalyuk M.Z., Netyaga V.V. and Lytvyn О.S. Nanocomposite structures grown by inserting ionic salt RbNO3 into van der Waals gaps of III-VI layered semiconductors //Solid State Ionics. - 2015-V. 273 -P. 5965). При застосуванні методу температурного спікання для виготовлення нанокомпозитів на основі 2D напівпровідникових наночастинок шаруватих кристалів і іонних солей необхідно перед проведенням спікання виготовити 2D наночастинки, товщина яких