Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч
Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу
Номер патенту: 97274
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Дуб Максим Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч
МПК: H01L 29/40, H01L 23/52, H01L 23/48 ...
Мітки: приладу, система, напівпровідникового, омічна, алмазу, контактна, термостійка
Формула / Реферат:
1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...
Алмазно-твердосплавна пластина
Номер патенту: 83326
Опубліковано: 10.09.2013
Автори: Соколов Олександр Миколайович, Богданов Роберт Костянтинович, Новіков Микола Васильович, Гаргін Владислав Герасимович, Конов Віталій Івановіч, Закора Анатолій Петрович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Осипов Олександр Сергійович, Шульженко Олександр Олександрович, Ашкіназі Євгєній Євсєєвіч
МПК: B24D 3/04, B22F 3/15, B22F 7/04 ...
Мітки: пластина, алмазно-твердосплавна
Формула / Реферат:
1. Алмазно-твердосплавна пластина, що містить алмазний шар, активуючу добавку і твердосплавну пластину, яка відрізняється тим, що алмазний шар додатково містить гнізда, в яких розташовані зубки з CVD-алмазу, на відстані 0-0,25D (D - діаметр пластини) від діаметральної площини пластини.2. Алмазно-твердосплавна пластина за п. 1, яка відрізняється тим, що в гніздах алмазного шару додатково розташовані зубки з CVD-алмазу товщиною в 0,1-0,7...
Бурова коронка
Номер патенту: 96692
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Шульженко Олександр Олександрович, Соколов Олександр Миколайович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Конов Віталій Івановіч, Богданов Роберт Костянтинович, Закора Анатолій Петрович, Ашкіназі Євгєній Євсєєвіч, Гаргін Владислав Герасимович, Супрун Михайло Вікторович
МПК: E21B 10/46
Формула / Реферат:
1. Бурова коронка, що містить корпус і закріплену на ньому алмазоносну матрицю, розділену промивними пазами на сектори, армовані породоруйнівними елементами у вигляді зносостійких циліндричних вставок із синтетичних алмазів, розміщених в центральній, свердловинній та керноутворюючій частині секторів за схемою перекриття, яка відрізняється тим, що твердість центральної частини кожного з породоруйнівних елементів у 3,5÷3,9 разу, а...
Надтвердий матеріал
Номер патенту: 45291
Опубліковано: 10.11.2009
Автори: Ашкіназі Євгєній Євсєєвіч, Конов Віталій Івановіч, Шульженко Олександр Олександрович, Гаргін Владислав Герасимович, Соколов Олександр Миколайович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч
МПК: C04B 35/80, C04B 35/5831
Мітки: матеріал, надтвердий
Формула / Реферат:
1. Надтвердий матеріал, що містить CVD-алмаз, який відрізняється тим, що його поверхня частково або повністю в умовах високого тиску та температури оточена оболонкою з полікристалічного алмазу (PCD) або полікристалічного кубічного нітриду бору (PCBN) зі зв'язком між зернами алмаз-алмаз або зернами cBN-cBN, між якими розміщено активуючу добавку.2. Матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що площа оболонки, яка охоплює CVD-алмаз,...
Польовий емітер електронів і спосіб його виготовлення
Номер патенту: 42119
Опубліковано: 15.10.2001
Автори: Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Карабутов Алєксандр Владіміровіч, Жуков Сєргєй Гєрмановіч, Бєлобров Пьотр Івановіч, Нєгодаєв Міхаіл Алєксандровіч, Гордєєв Сєргєй Константіновіч
Мітки: емітер, електронів, спосіб, виготовлення, польовий
Формула / Реферат:
1. Польовий емітер електронів, що складається з алмазу та графітоподібного вуглецю, який відрізняється тим, що вказаний емітер всередині його об'єму має однорідний склад з алмазних частинок, сполучених графітоподібним вуглецем.2. Польовий емітер електронів за п.1, який відрізняється тим, що вміст графітоподібного вуглецю становить менше 35% мас.3. Польовий емітер електронів за п.1 або 2, який відрізняється тим, що розмір...