Шутов Станіслав Вікторович
Спосіб одержання епітаксійних шарів арсеніду галію на кремнієвих основах рідкофазною епітаксією
Номер патенту: 25348
Опубліковано: 30.10.1998
Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/20
Мітки: шарів, галію, кремнієвих, основах, арсеніду, рідкофазною, епітаксійних, епітаксією, одержання, спосіб
Формула / Реферат:
Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію
Номер патенту: 24815
Опубліковано: 06.10.1998
Автори: Попова Вікторія Євгенівна, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: C30B 19/00, C30B 29/40
Мітки: арсеніду, спосіб, шарів, галлію, епітаксійного, нарощування
Формула / Реферат:
Спосіб епітаксійного нарощування шарів арсеніду галлію, включаючий приготування розчину-розплаву на основі вісмута та арсеніду галію, контактування підкладки і розчину-розплаву при температурі початку епітаксії та примусового охолодження, який відрізняється тим, що розплав вісмуту насичується миш'яком шляхом розчинювання шихти арсеніду галію та арсеніду індію в співвідношенні 0,03 £ xInAs/XGaAs £ 0,21, а процес епітаксійного...