C30B 23/00 — Вирощування монокристалів конденсацією испаряемого або субліміруемого матеріалу

Номер патенту: 111560

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Локшин Михайло Маркович, Пекар Григорій Соломонович, Сингаївський Олександр Федорович

МПК: C30B 35/00, C30B 23/00, C30B 25/00 ...

Мітки: вільного, кристалів, вирощування, пристрій, методом, сублімації

Формула / Реферат:

Пристрій для вільного вирощування кристалів методом сублімації, який відрізняється тим, що з метою його багаторазового використання при температурах до 1800 - 2000 °С пристрій є розбірним і включає сапфіровий ростовий тигель у формі відкритої з обох сторін труби, нижній торець якої виконаний шорсткуватим і встановлений на сапфіровій пластині, на поверхні пластини всередині ростового тигля розташована кругла зародкова пластина з вирощуваного...

Номер патенту: 52152

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 35/00, C30B 23/00

Мітки: монокристалів, алманітів, вирощування, кремнію, карбіду, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування монокристалів карбіду кремнію (алманітів), що містить кристалізатор і затравку, причому кристалізатор виконано у вигляді циліндричної труби із графіту високої чистоти, в нижній частині якої розміщено тигель із кремнієм, зверху синтезатор щільно закритий кришкою, щоб запобігти виходу парів за межі синтезатора, зародки, на яких потім нарощують монокристали, які вирощують в глибокому вакуумі (10-5-10-6 мм рт. ст.),...

Номер патенту: 52151

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сергеєв Олег Тимофійович, Масол Ігор Віталієвич

МПК: C30B 23/00, C30B 35/00

Мітки: карбіду, спосіб, алманіту, кремнію, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію алманіту, який полягає у тому, що монокристали карбіду кремнію вирощують із кремнію і вуглецю, суть якого полягає у тому, що використовують особливо чистий кремній і вуглець (вміст домішок не більше 1x1016 см-3), причому кремній використовують у вигляді розплаву, нагрітого до температури випаровування (1750 °С), а вуглець - у вигляді графіту, з якого виготовлені всі деталі синтезатора, кришка...

Номер патенту: 87353

Опубліковано: 10.07.2009

Автори: Копил Олександр Іванович, Микитюк Павло Дмитрович

МПК: C30B 29/46, C30B 23/00

Мітки: а4в6, сполук, розчинів, монокристалів, а2в6, вирощування, пристрій, методом, сублімації, твердих

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів твердих розчинів сполук А4В6, А2В6 методом сублімації, що складається з контейнера для розміщення наважки вихідних компонентів та високотемпературної трубчатої печі з внутрішнім діаметром, більшим за зовнішній діаметр контейнера, який відрізняється тим, що контейнер складається з двох з'єднаних вздовж поздовжньої осі симетрії частин, причому торець однієї частини з меншим діаметром має капіляр,...

Номер патенту: 40276

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Пігур Ольга Миколаївна, Цюцюра Дмитро Іванович, Британ Віктор Богданович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Лоцько Олександр Павлович, Попович Володимир Дмитрович

МПК: C30B 11/00, C30B 23/00

Мітки: cdznte, монокристалів, спосіб, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...

Номер патенту: 16146

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Пактер Михайло Ілліч, Дехтеренко Андрій Володимирович

МПК: C30B 23/00, B01D 1/00, B01D 9/00 ...

Мітки: різних, солей, одержання, розчинів, спосіб, водних, кристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання кристалів різних солей з водних розчинів, при якому одержують водний розчин солі, поміщають водний розчин солі в ємність, очищають водний розчин солі, підігрівають очищений водний розчин солі до температури 20-100°С, переважно 60±5°С, одночасно з підігрівом водного розчину солі роблять підігрів повітря, що знаходиться над ємністю, до температури 20-80°С, переважно 50±5°С, доводять водний розчин солі, що знаходиться в...

Номер патенту: 59570

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Летюченко Сергій Дмитрович, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 29/02, C30B 23/00

Мітки: телуру, спосіб, вакуумної, очищення, методом, дистиляції

Формула / Реферат:

Спосіб очищення телуру методом вакуумної дистиляції, що включає його завантаження в кварцовий стакан зі звуженою горловиною, через яку відбувається масоперенос парів телуру, розміщення стакана в кварцовій реторті, вакуумування, плавлення при 923-943Κ в атмосфері водню при тиску 1,2-1,4 атм із дворазовою її заміною; сублімацію при температурі 753±10К, конденсацію на стінках реторти при температурі 600-673К, розплавлювання конденсату...