Терзін Ігор Сергійович

Номер патенту: 115794

Опубліковано: 25.04.2017

Автори: Коваленко Назар Олегович, Терзін Ігор Сергійович, Капустник Олексій Костянтинович

МПК: C30B 11/00

Мітки: активних, телуриду, елементів, легованого, матеріал, твердого, іч-лазерів, домішкою, ізовалентною, основі, монокристалічний, розчину, кадмію-марганцю, заліза

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.

Номер патенту: 76301

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Яцина Юрій Анатолійович, Охрімовський Андрій Михайлович, Олійник Сергій Володимирович, Терзін Ігор Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Полубояров Олексій Олександрович

МПК: G01T 1/24

Мітки: електромагнітного, експозиційної, спосіб, вимірювання, потужності, випромінювання, дози

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання експозиційної дози електромагнітного випромінювання шляхом подачі електричної напруги на пластину з високоомного напівпровідника, який відрізняється тим, що пластину виготовляють з твердого розчину високоомного напівпровідника, а електроди створюють на обох поверхнях пластини; на пластину подають змінну електричну напругу, вимірюють частотні залежності електроємності

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Чугай Олег Миколайович, Терзін Ігор Сергійович, Полубояров Олексій Олександрович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Олійник Сергій Володимирович, Шматко Олександр Олександрович

МПК: G01R 31/26

Мітки: напівпровідників, спосіб, вимірювання, твердих, розчинів, високоомних, питомого, електроопору

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Чуйко Олексій Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Терзін Ігор Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: вимірювання, нерівноважних, носіїв, життя, спосіб, напівпровідниках, струму, часу

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.