Патенти з міткою «ізовалентною»
Монокристалічний матеріал для активних елементів іч-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза
Номер патенту: 115794
Опубліковано: 25.04.2017
Автори: Коваленко Назар Олегович, Терзін Ігор Сергійович, Капустник Олексій Костянтинович
МПК: C30B 11/00
Мітки: легованого, домішкою, монокристалічний, розчину, твердого, кадмію-марганцю, заліза, матеріал, основі, елементів, іч-лазерів, активних, телуриду, ізовалентною
Формула / Реферат:
Монокристалічний матеріал для активних елементів ІЧ-лазерів на основі твердого розчину телуриду кадмію-марганцю, легованого ізовалентною домішкою заліза, Cd1-xMnxTe:Fe2+, який відрізняється тим, що концентрація марганцю у твердому розчині складає 0,45<х<0,77.
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою
Номер патенту: 76387
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Гриньов Борис Вікторович, Лалаянц Олександр Іванович, Катрунов Костянтин Олексійович, Галкін Сергій Миколайович, Сілін Віталій Іванович, Гальчинецький Леонід Павлович, Старжинський Микола Григорович, Воронкін Євгеній Федорович
МПК: C30B 33/02
Мітки: селеніду, спосіб, сцинтиляційного, домішкою, кристала, матеріалу, термообробки, ізовалентною, цинку, легованого, основі
Формула / Реферат:
Спосіб термообробки сцинтиляційного матеріалу на основі кристала селеніду цинку, легованого ізовалентною домішкою, що включає термообробку в насиченій парі цинку при температурі 950-1000 °С протягом 24-48 годин з подальшим охолодженням до кімнатної температури, який відрізняється тим, що охолодження проводять у два етапи, при цьому на першому етапі охолодження проводять до температури 600±10 °С зі швидкістю 100±10 °С/хв, а на другому етапі...