Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю

Спосіб отримання шарів телуриду цинку з електронною провідністю, що включає механічну і хімічну обробку підкладинок ZnTe та їх легування, який відрізняється тим, що легування проводять шляхом відпалу підкладинок у насиченій парі олова при температурі 950±50°С. (19) (21) u201009574 (22) 30.07.2010 (24) 25.01.2011 (46) 25.01.2011, Бюл.№ 2, 2011 р. (72) МАХНІЙ ВІКТОР ПЕТРОВИЧ, СКРИПНИК МИКОЛА ВОЛОДИМИРОВИЧ, УЛЬЯНИЦЬКИЙ КОСТЯНТИН СЕРГІЙОВИЧ 3 56872 Апробація запропонованого способу проводилась на підкладинках телуриду цинку типорозміром 4×4×1 мм3 з ρр≈105 Ом∙см при 300К. Вони вирізались з об'ємних кристалів вирощених з розплаву методом Бріджмена. Підкладинки проходили поетапні механічне та хімічне полірування у травнику СrO3:НСl=1,8:7, відмивку в дистильованій воді та фінішну сушку. Якість обробленої поверхні контролювалась візуально по появі об'ємної фотолюмінесценції, яка збуджувалась лазером ЛГИ 21 з m≈0,337 мкм. Підкладинка ZnTe разом з дифузантом (елементарне олово) поміщались у кварцову ампулу, яка відкачувалась до 10-4 Торр і запаювалась. Відпал проводився в ізотермічних умовах у діапазоні 800-1000°С на протязі 1 год. причому підкладинка і дифузант знаходилась у протилежних кінцях ампули. Отримані у результаті відпалу поверхневі шари підкладинок р-ZnTe демонструють електронну провідність, на що вказують знаки термоерс та випрямлення на точковому контакті. Товщина d шарів визначається температурою Та і часом ta відпалу, зростаючи при їх збільшенні. При обраному ta, навіть при найнижчій температурі відпалу, товщина була більше 10 мкм, що є цілком достатнім для надійного вимірювання питомого опору. Омічні контакти до шарів n-ZnTe створювались вплавленням наважок індію, а ρn визначався зага Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 льновідомим методом [4]. Результати вимірювань питомого опору отриманих шарів у залежності від температури відпалу наведено у таблиці. Максиmах мальна Та =1000°С, тому що при більш високих температурах відбувається ерозія поверхні підкладинки. Аналіз дослідних залежностей ρn(Та) приводить до висновку, що оптимальною можна вважати температуру відпалу 950±50°С, оскільки у цьому діапазоні питомий опір змінюється у межах 0,5÷2 Ом∙см. Зауважимо, що отримана величина ρnmin більш ніж на 2 порядки менша ніж у найближчого аналога. Крім того, суттєво зростає товщина шарів n-ZnTe, аж до об'ємного легування підкладинки при збільшенні часу дифузії до 10 год. при Та=1000°С. Джерела інформації 1. Коган Я.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды. - М.: Энергоатомиздат, 1983, 208 с. 2. Физика соединений А2В6 / Под ред. А.Н. Георгебиани и М.К. Шейкмана. - М.: Наука, 1970, 320 с. 3. Кононенко В.К. Инжекционная электролюминесценция теллурида цинка. - ЖПС, 1975, Т. 23, вып. 3, 528-553 с. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601