Фотоприймач
Номер патенту: 58429
Опубліковано: 11.04.2011
Автори: Вікулін Іван Михайлович, Німцович Андрій Іванович, Вікуліна Лідія Федорівна, Курмашев Шаміль Джамашевич
Формула / Реферат
Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу.
Текст
Фотоприймач, що містить одноперехідний фототранзистор на базі напівпровідника n-типу провідності з двома омічними контактами, емітерним p-n-переходом між ними та областю n-типу в емітерній р-області, який відрізняється тим, що в емітерній p-області сформовано додаткову область n-типу. (19) (21) u201011739 (22) 04.10.2010 (24) 11.04.2011 (46) 11.04.2011, Бюл.№ 7, 2011 р. (72) ВІКУЛІН ІВАН МИХАЙЛОВИЧ, ВІКУЛІНА ЛІДІЯ ФЕДОРІВНА, КУРМАШЕВ ШАМІЛЬ ДЖАМАШЕВИЧ, НІМЦОВИЧ АНДРІЙ ІВАНОВИЧ (73) ОДЕСЬКА НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ ЗВ'ЯЗКУ ІМ. О.С. ПОПОВА 3 58429 Одночасно зростає струм IФ , що викликає додаткове зростання частоти. В ОПТ-прототипі зарядження конденсатора С здійснюється струмом фотодіоду. Цей струм який значно менший по чутливості до світла, ніж струм БФТ. Дослідні зразки фотоприймача виготовлялися на базі кремнію з питомим опором 200 Ом·см. Розміри елементів конструкції: кристал 200×200×200 мкм, контакт 3 - 100×40 мкм, емітер 4 - 100×40 мкм, області 5, 6 - 30×20 мкм, контакт 2 200×200 мкм. Експериментальна перевірка роботи фотоприймача в схемі, яку приведено на Фіг.2, показала, Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 що його фоточутливість на порядок вища, ніж чутливість відомого аналога. Технологія одержання фотоприймача не відрізняється від технології кремнієвих транзисторів, які виготовляються методом подвійної дифузії і він може вироблятися на будьякому підприємстві електронної промисловості. Література: 1. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - Москва: Радио и связь. - 1990. - С. 180-185. 2. Патент України №20016. H01L 31/10. 15.01.2007, Бюл. №1, 2007 p. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPhotoreceiver
Автори англійськоюVikulin Ivan Mykhailovych, Vikulina Lidia Fedorivna, Kurmashev Shamil Dzhamashevych, Nimtzovych Andrii Ivanovych
Назва патенту російськоюФотоприемник
Автори російськоюВикулин Иван Михайлович, Викулина Лидия Федоровна, Курмашев Шамиль Джамашевич, Нимцович Андрей Иванович
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/10
Мітки: фотоприймач
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-58429-fotoprijjmach.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Фотоприймач</a>
Фотоприймач
Номер патенту: 19922
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович
МПК: H01L 31/10
Мітки: фотоприймач
Формула / Реферат:
Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.
Фотоприймач
Номер патенту: 69919
Опубліковано: 15.09.2004
Автори: Курмашов Шаміль Джемашевич, Сидорець Ростислав Григорович, Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович
МПК: H01L 31/06
Мітки: фотоприймач
Формула / Реферат:
Фотоприймач, що виконаний у вигляді напівпровідникової пластини довжиною порядку довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду з р-n переходом на одному кінці та омічним контактом на другому, який відрізняється тим, що на більш широкій стороні пластини розміщений металевий електрод, відділений від пластини діелектриком, причому товщина вузької сторони пластини повинна бути рівна товщині області об'ємного заряду напроти електрода.
Напівпровідниковий фотоприймач
Номер патенту: 34141
Опубліковано: 25.07.2008
Автори: Вікулін Іван Михайлович, Дмитрієв Михайло Володимирович
МПК: H01J 15/00, H01L 31/042
Мітки: напівпровідниковий, фотоприймач
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий фотоприймач, що містить випрямні контакти, який відрізняється тим, що на освітлюваній стороні розташовано чотири напівпрозорі електроди, створюючі з напівпровідником випрямні контакти, електрично не зв'язані між собою і розділені зазорами шириною, рівною діаметру світлової плями d, а в центрі фотоприймача електроди рівновіддалені один від одного на відстань D, яка дорівнює d+2L, де L - дифузійна довжина неосновних...
Одноперехідний фототранзистор
Номер патенту: 20016
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Панфілов Максим Іванович, Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Никифоров Станислав Миколайович
МПК: H01L 31/10
Мітки: фототранзистор, одноперехідний
Формула / Реферат:
Одноперехідний фототранзистор, що містить напівпровідник n-типу з двома омічними базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що в p-області р-n-переходу сформовано додаткову область n-типу.
Напівпровідниковий термостатований фотоприймач
Номер патенту: 3324
Опубліковано: 15.11.2004
Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: H01L 35/00, H01L 31/00
Мітки: термостатований, фотоприймач, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий термостатований фотоприймач, який містить фотоприймач, приєднаний до теплопоглинаючої сторони термоелектричного модуля, тепловиділяюча сторона якого з'єднана з тепловідводом, який відрізняється тим, що на зворотному боці напівпровідникового фотоприймача додатково розташований шар діелектрика з електрокомутаційними доріжками, до яких приєднані гілки термоелектричного модуля.
Попередній патент: Очищально-калібрувальна машина
Наступний патент: Установка для гідроімпульсного баротермічного просочування органічних матеріалів
Випадковий патент: Спосіб нормалізації функцій організму людини