Спосіб підготовки вихідної сировини для вирощування монокристалів лейкосапфіру(a-al2o3)
Номер патенту: 61230
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Олександр Дмитрович, Блецкан Дмитро Іванович
Формула / Реферат
1. Безалкогольний соковий напій, що містить рідкий соковий компонент, компонент для надання солодкого смаку і підготовлену воду, який відрізняється тим, що як компонент для надання солодкого смаку напій містить цукор і підсолоджувач, а як рідкий соковий компонент-концентрований сік при такому співвідношенні інгредієнтів на 100 дал готового продукту:
сокова основа, кг
35,0-45,0
цукор, кг
24,0-105,0
підсолоджувач, кг
0,05-1,05
підготовлена вода, дм
решта.
2. Безалкогольний соковий напій за п. 1, який відрізняється тим, що він містить підсолоджувач з коефіцієнтом солодкості 100-450.
3. Безалкогольний соковий напій за пп. 1 або 2, який відрізняється тим, що як підсолоджувач напій містить фруктозу і/або сахарин і/або ацесульфам-К і/або цикламат і/або аспартам і/або сукралозу.
4. Безалкогольний соковий напій за пп. 1 або 2 або 3, який відрізняється тим, що він додатково містить консервант у кількості 0,17-0,34кг.5. Безалкогольний соковий напій за п. 4, який відрізняється тим, що як консервант напій містить бензоат натрію і/або сорбат калію і/або діоксид сірки.6. Безалкогольний ссковий напій за пп. 1 або 2 або 3 або 4 або 5, який відрізняється тим, що він містить концентрований сік із вмістом сухої речовини 35-85 мас. %.
Текст
1 Спосіб підготовки вихідної сировини для вирощування монокристалів лейкосапфіру (аАЬОз), що включає високотемпературну обробку порошкоподібного оксиду алюмінію, який відріз Винахід відноситься до технології вирощування монокристалів і може бути використаний при ПІДГОТОВЦІ вихідної сировини для вирощування монокристалів лейкосапфіру - а - А ^ О з напрямленою кристалізацією розплаву Відомий спосіб підготовки вихідної сировини, згідно якого, порошкоподібний оксид алюмінію, одержаний реакцією розкладу алюмо-амонійних квасців, спресовують у брикети, які відпалюють при температурі 1400°С [1] До недоліків приведеного способу слід віднести те, що одержані брикети можна використовувати в якості вихідної сировини лише після додаткового відпалу у вакуумі при температурі ~1800°С для повного видалення продуктів реакції розкладу алюмо-амонійних квасців Крім того, невелика густина (
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюA method for the preparation of initial raw stock for growing single crystals of leucosapphire (a-al2o3)
Автори англійськоюBletskan Dmytro Ivanovych, Pekar Yaroslav Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ подготовки исходного сырья для выращивания монокристаллов лейкосапфира (a-al2o3)
Автори російськоюБлецкан Дмитрий Иванович, Пекарь Ярослав Михайлович
МПК / Мітки
МПК: C30B 28/00, C30B 29/20
Мітки: лейкосапфіру(a-al2o3, монокристалів, спосіб, сировини, підготовки, вирощування, вихідної
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-61230-sposib-pidgotovki-vikhidno-sirovini-dlya-viroshhuvannya-monokristaliv-lejjkosapfirua-al2o3.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб підготовки вихідної сировини для вирощування монокристалів лейкосапфіру(a-al2o3)</a>
Спосіб вирощування монокристалів aggage3se8
Номер патенту: 28492
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Панкевич Володимир Зіновієвич, Горгут Галина Петрівна, Олексеюк Іван Дмитрович
МПК: C30B 11/00
Мітки: монокристалів, спосіб, вирощування, aggage3se8
Формула / Реферат:
Спосіб вирощувана монокристалів AgGaGe3Se8, який включає складання шихти з елементарних компоненів Ag,Ga,Ge,Se у відповідності із стехіометричним складом, синтез її і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез і ріст проводять в одному й тому ж ростовому контейнері який відрізняється тим, що процес вирощування монокристалів проводять при слідуючих параметрах: температура в зоні розплаву ...
Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору
Номер патенту: 34574
Опубліковано: 15.03.2001
Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Ткаченко Сергій Анатолійович
МПК: C30B 15/36
Мітки: монокристалів, лазерних, вирощування, тикору, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...
Спосіб вирощування монокристалів тетраборату літію
Номер патенту: 34204
Опубліковано: 15.02.2001
Автори: Головей Михайло Іванович, Головей Вадим Михайлович, Пуга Павло Павлович, Турок Іван Іванович
МПК: C30B 15/02
Мітки: вирощування, монокристалів, літію, спосіб, тетраборату
Текст:
...ростова установка додатково обладнана дозатором і системою підживлення, яка компенсує втрати маси розплаву за рахунок випаровування оксиду бору. Оксид бору додають у розплав до і в процесі витягування із швидкістю 0,0015 г за годину на 1 см 2 вільної поверхні розплаву. Не вдається досягти рівномірного дозування, оскільки дуже мала вагова швидкість підживлення. Крім того, надмірна кількість оксиду бору в приповерхневих шарах розплаву...
Спосіб вирощування монокристалів тl3рвсl5
Номер патенту: 23481
Опубліковано: 02.06.1998
Автори: Федонюк Анатолій Ананійович, Олексеюк Світлана Теодорівна, Давидюк Георгій Євлампійович, Падалко Анатолій Михайлович, Олексеюк Іван Дмитрович
МПК: C03B 11/04
Мітки: монокристалів, вирощування, спосіб, тl3рвсl5
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів ТІ3РbСІ5, включаючий компонування шихти з ТІСІ І РbСІ2 у відповідності iз стехіометричним складом, попередню очистку компонентів шихти, розплавлення останньої і вирощування монокристалів за методом Бріджмена-Стокбаргера, причому синтез І ріст проводять в одному І тому ж ростовому циліндричному тиглі з конусоподібним днищем, який відрізняється тим, що процес вирощування монокристала ведуть при слідуючих...
Спосіб очистки від домішок та вирощування монокристалів тугоплавких матеріалів
Номер патенту: 30026
Опубліковано: 15.11.2000
Автор: Лобода Петро Іванович
МПК: C30B 13/00, C30B 7/00
Мітки: домішок, спосіб, очистки, тугоплавких, матеріалів, монокристалів, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб очистки від домішок та вирощування монокристалів тугоплавких матеріалів, що включає переміщення вузької зони розплаву через довгомірну, тверду, високооднорідну заготовку, якій відрізняється тим, що вирощування монокристалів проводять із пористих пресовок, сформованих із суміші порошків тугоплавкого матеріалу та розчинника домішок, з температурою плавлення більш низькою, ніж температура плавлення тугоплавкого матеріалу, а процес плавки...
Попередній патент: Ошпарювач бурякової стружки
Наступний патент: Антифрикційна композиція
Випадковий патент: Цифровий гравіметр для абсолютних вимірів прискорення сили ваги