Пристрій для кріплення затравочного кристала

1. Пристрій для кріплення затравочного кристала в установці для вирощування монокристалів 3 86317 затравкотримача як в процесі вирощування, так і після його завершеня. Завданням винаходу є підвищення надійності кріплення затравочного кристала в затравкотримачі, спрощення процесу фіксації затравочного кристала в його корпусі, та забезпечення співвісності затравочного кристала з механізмом обертання та переміщення штока і поздовжньою віссю кристалізаційного вузла установки з вирощування кристалів. Поставлене завдання досягається тим, що корпус затравкотримача, в нижній частині містить повздовжній паз прямокутного перерізу наполовину або на дві треті висоти затравкотримача, ширина якого зменшується зверху вниз при цьому нижня частина корпуса виконана у формі зрізаного конусу; складається з двох частин, з'єднаних між собою різьбовим з'єднанням; різьбове з'єднання виконане співвісно з повздовжнім пазом у корпусі затравкотримача. Порівняльний аналіз із прототипом показує, що запропонований пристрій для кріплення затравочного кристала містить ряд істотних переваг, а саме: спрощення процесу кріплення затравочного кристала в корпусі затравкотримача при одночасному збільшенні надійності. Крім того, суттєву роль відіграє те, що затравкотримач складається з двох частин, з'єднаних між собою за допомогою різьбового з'єднання, що дає можливість замінити частини, які виходять з ладу внаслідок дії високих температур, тобто деформуються, ректристалізуються, ламаються. Істотним є співвісність різьбового отвору у верхній частині корпуса затравкотримача із повздовжнім пазом у ньому, яка дає змогу встановлювати затравочний кристал співвісно із кристалізаційним вузлом установки для вирощування кристалів. Крім того, форма зрізаного конуса нижньої частини корпуса затравкотримача дозволяє розсіювати теплове випромінювання від дзеркала розплаву до стінок тигля, що дає можливість створювати переохолоджену зону в розплаві (зону переохолодженого розплаву) симетрично, що значно полегшує початкову стадію вирощування кристала, тобто затравлення. Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 Наводимо приклад використання пристрою для кріплення затравкового кристала. Затравочний кристал у вигляді чотиригранної призми, верхня частина якого відповідає формі повздовжнього паза в корпусі затравкотримача, вставляють в нього збоку і фіксують вольфрамренієвим дротом. Корпус затравкотримача, за допомогою різьби з'єднують з циліндричною віссю, верхня частина якої зафіксована в цанговому патроні за допомогою кулачків та затискного кільця. Після встановлення в тепловій системі тигля із вихідною сировиною, кулачковий патрон із затравкотримачем та затравочним кристалом з'єднують із штоком переміщення та обертання кристала. Після плавлення вихідної сировини, затравкотримач із затравочним кристалом, за допомогою механізму переміщення та обертання опускають вниз до контакту нижньої частини затравочного кристала із розплавом. Після розрощування конуса, плавним зменшенням потужності, що подається на нагрівник, кристалізують весь розплав. Коли кристал охолоне до кімнатної температури, затравкотримач від'єднують від штоку переміщення та обертання і разом з кристалом виймають із кристалізаційного вузла. Зовнішній огляд затравочного кристала в корпусі затравкотримача показав відсутність ознак вертикального та горизонтального зміщення, тобто надійність його кріплення. Винахід може бути використаний при вирощуванні монокристалів сапфіра напрямленою кристалізацією розплаву видозміненим методом Кіропулоса. Джерела інформації: 1. Жвирблянский В.Ю., Шапито А.И., Шутов М.В., Дранки Г.Б. Устройство для крепления затравочного кристалла. Патент России №778371, опубл. 1999.07.10. 2. Блецкан Д.І., Блецкан О.Д., Лук'янчук О.Р., Машков Α.Ι., Пекар ЯМ., Цифра В.І. Промислове вирощування монокристалів сапфіру видозміненим методом Кіропулоса. - Вісник Ужгородського університету. Серія Фізика. 2000. №6. С.221-240. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601