Пристрій для напилення речовини в вакуумі

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при формировании элементов интегральных схем. Изобретение относится к термическому напылению пленок в вакууме и может быть использовано в микроэлектронике при формировании элементов интегральных схем. Целью изобретения является улучшение качества напыляемой пленки за счет увеличения скорости напыления. На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху» В нагреватель 1 помещена система щелевых капилляров в форме спирали 2 с расплавом 3. Для напыления пленки золота использовался нагреватель 1 из молибдена в спираль 2 изготавливалась из листового молибдена толщиной 0 9 15 мм„ Геометрические размеры нагревателя 1: внутренний диаметр дна 3 мм ? внутренний диаметр верхней части 8 мм э глу15-91 Цель изобретения - улучшение качества напыляемой пленки. Устройство содержит нагреватель и спираль, установленную в нагревателе. Конструкция верхнего торца спирали выполнена так, что каждая последующая от центра точка выше, чем предыдущая, причем величина подъема каждой из точек последующего витка меньше, чем величина a-vj1 - sin0 я где а - капиллярная постоянная материала расплава, м, Q краевой угол смачивания на поверхности материала спирали, град. В результате увеличивается поверхность испарения и эмиссионная способность испарителя в направлении подложек. 2 ил. бина стакана 8 мм, толщина стенок 0,5 мм. Геометрические размеры спирали; высота витков на дне нагревателя 1 линейно возрастала от 1 мм в центре до 2 мм; витки, находящиеся на конической поверхности нагревателя 1, имели высоту 2 мм,' расстояние между витками выдерживалось постоянным и равным 0 s 3 мм; величина подъема каждой из точек последующего витка ^ 0 , 3 мм на дне нагревателя 1 и/*-1,2 мм на конической поверхности нагревателя 1 (в каждом из этих случаев она была меньше, чем а -yt - HLl>\J - 3 5 MMj, Г Д Е :, i c n a sin а ~ капиллярная постоянная расплава испаряемого материала, В - краевой угол смачивания на поверхности материала спирали,, 5ІпУ= О для расплава золота на поверхности молибдена. Для расплава 3, который находится в каждом витке спирали 2 Э площадь по-* 9 list' 1644549 верхности испарения д н і равна ^ 1 , 5 4 с м 2 , а для спирали с горизонтальным верхним торцом общим диаметром 8 мм ^ 0 , 5 с м 2 . Устройство работает следующим образом. Навеска золота массой 300 НО кг была уложена сверху витков спирали 2, камера вакуумной напылительной у с т а новки УРМ 3 . 2 7 9 . 0 1 1 , в которой на позиции резистивного испарителя было установлено устройство для напыления вещества в вакууме, откачивалась до давления 3*10"* 1 Па, подавалось напряжение на нагреватель 1, навеска золота расплавлялась при температуре плавления золота (1336 К ) , расплав 3 прогревался при этой температуре до обезгаживания, при увеличении температуры нагревателя 1 проводился процесс напыления .Пленки золота формировались на расстоянии л--0,1 м от устройства для напыления вещества в вакууме на подложку диаметром 90 мм. При этом были получены пленки толщиной 1,0- 10~6м за 20 с, т . е . скорость напыления з о лота была 5О-1О~9м/с. г JQ 15 20 25 Использование устройства 4 позволяет -,„ формировать пленки со скоростью напы' л е н и я , в 2 р а з а превышающей скорость напыления устройства основного и з о б ретения. При этом примерно на 10% уменьшав 1с_я концентрация частиц о с т а точной среды по сравнению с основным изобретением. Устройство по сравнению с основным изобретением х а р а к т е р и з у ется лучшей эмиссионной способностью в направлении подложек. Это позволяет в 1,5-2 р а з а эффективнее использовать навеску напыляемого вещества, при тех же режимах нагревателя напылить пленку большей толщины с данной навески или уменьшить величину н а в е с к и . Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Устройство для напыления вещества в вакууме по а в т . с в . № 1473369, о т л и ч а ю щ е е с я тем, ч т о , с целью улучшения к а ч е с т в а напыляемой пленки за счет увеличения скорости напыления, какдая последующая от центра спирали точка верхнего торца с п и рали выше, чем предыдущая, причем в е личина подъема каждого последующего витка выбариается из соотношения < а Г sin где A.t - величина подъема витка, м, а - капиллярная постоянная расплава испаряемого материала, м; Q - краевой угол смачивания на поверхности материала спирали, град. 1644549 Фиг 2 Редактор Т.Куркова Составитель И„Фишель Техред Л.Сердюкова Корре ктор Т. Палий' Заказ 1534/ДСП Тираж 344 Подписное В И П Государственного комитета по изобретениям и открытиям при Г Н С С НИИ К Т СР 113035, Москва, Ж-35, Раушская н а б . , д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,Ужгород, ул. Гагарина, 101