Фотоприймач
Номер патенту: 68148
Опубліковано: 12.03.2012
Автори: Горбачов Віктор Едуардович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович, Марколенко Павло Юрійович
Формула / Реферат
Фотоприймач, на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера якого ввімкнуто конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що біполярний фототранзистор виконано з германію.
Текст
Реферат: UA 68148 U UA 68148 U 5 10 Корисна модель належить до напівпровідникової електроніки, а саме, до конструкції фотоприймачів і може бути використана в пристроях вимірювальних приладів, автоматики та оптичного зв'язку. Відомі конструкції фотоприймачів на базі одноперехідного транзистору (ОПТ), який увімкнено в схему генератора релаксаційних коливань, вихідним параметром якого є частота коливань. Вона збільшується із зростанням світлового потоку Ф [1]. Недоліком цих пристроїв є відносно вузький спектральний діапазон фоточутливості, який визначається напівпровідниковим матеріалом, з якого зроблені одноперехідний транзистор і біполярний фототранзистор. Найближчим аналогом (прототипом) корисної моделі є фотоприймач на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера Е якого ввімкнуті конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор (фіг.). Конденсатор С заряджується через біполярний фототранзистор (БФТ). Частота коливань f релаксаційного генератора [2] f 15 20 25 30 35 40 45 Iф (1) СUВ Де Iф - струм через БФТ, UВ - напруга включення ОПТ. Із зростанням світлового потоку Ф струм Iф зростає, а напруга UВ зменшується. Це і обумовлює зростання частоти f (Ф) . Недоліком цього фотоприймача є відносно вузький спектральний діапазон фоточутливості, який визначається напівпровідниковим матеріалом, з якого зроблені ОПТ і БФТ. В даний час ОПТ виготовляються лише на базі кремнію, що має чутливість до світлових хвиль з довжиною в діапазоні 1 (0.2 1.05) мкм. З цього ж матеріалу у прототипі виготовлено і БФТ, який вбудовано в область емітера Е ОПТ. Як відомо, діапазон сонячного випромінювання складає C (0.2 1.08) мкм, тобто фотоприймач-прототип приймає практично лише половину. В основу корисної моделі поставлено задачу забезпечення фоточутливості приймача у всьому діапазоні C спектра сонячного випромінювання. Технічним рішенням задачі є використання в схемі фотоприймача біполярного фототранзистора із германію в електричному контурі емітера кремнієвого одноперехідного фототранзистора. Германій має фоточутливість в діапазоні 2 (0.2 1.8) мкм, що й забезпечує перекривання двома фототранзисторами (ОПТ і БФТ) всього діапазону C сонячного випромінювання. Роботу фотоприймача можна проілюструвати за допомогою його електричної схеми (фіг.). Конденсатор С заряджується струмом Іф до напруги включення UВ ОПТ, після чого розряджається через нього, що призводить до появи імпульсу струму на вихідному опорі R1 . Далі процес повторюється. В діапазоні світлових хвиль (0.2 1) мкм чутливим елементом приймача служить БФТ. Струм через нього зростає з підвищенням світлового потоку, що у відповідність до (1) призводить до зростання частоти генератора f . В діапазоні довжин хвиль (0.9 1.8) мкм чутливим елементом є ОПТ. Зменшення для нього із зростанням світлового потоку напруги UВ також збільшує частоту f . Таким чином, чутливість фотоприймача розповсюджується на весь спектральний діапазон сонячного випромінювання. Експериментальна перевірка роботи фотоприймача відбувалася із використанням кремнієвого ОПТ типу КТ117 і германієвого БФТ типу ФТГ-4, які серійно випускаються промисловістю. Перевірка показала, що спектральний діапазон випромінювання, до якого фотоприймач є чутливим, розширений у порівнянні із прототипом майже у два рази і відповідає спектру сонячного випромінювання C . Сучасна технологія мікроелектроніки дозволяє виготовляти ОПТ і БФТ у вигляді однієї твердотільної мікросхеми, яку є можливість випускати на будь-якому підприємстві електронної промисловості. Джерела інформації: 1. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - Москва: Радио и связь. - 1990. - С. 180-185. 2. Патент України № 58429 "Фотоприймач". МПК Н01L31/10, 11.04.2011., Бюл. № 7, 2011 p. 50 ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 55 Фотоприймач, на базі генератора релаксаційних коливань, що вміщує кремнієвий одноперехідний фототранзистор, в електричний контур емітера якого ввімкнуто конденсатор і кремнієвий біполярний фототранзистор, який відрізняється тим, що біполярний фототранзистор виконано з германію. 1 UA 68148 U Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюLight detector
Автори англійськоюVikulin Ivan Mykhailovych, Kurmashev Shamil Dzhamashevych, Horbachov Viktor Eduardovych, Markolenko Pavlo Yuriiovych
Назва патенту російськоюФотоприемник
Автори російськоюВикулин Иван Михайлович, Курмашев Шамиль Джамашевич, Горбачов Виктор Эдуардович, Марколенко Павел Юрьевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/00
Мітки: фотоприймач
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-68148-fotoprijjmach.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Фотоприймач</a>
Попередній патент: Спосіб трансанальної поліпектомії розпластаних аденоматозних поліпів прямої кишки великих розмірів
Наступний патент: Пристосування для відбору проб молока від свиноматок
Випадковий патент: Пристрій для сортування чисел