Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 86104

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Нагорна Людмила Лаврентіївна

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Текст

Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію, що включає нагрівання і витримку монокристалів з наступним їх охолодженням, який відрізняється тим, що монокристали нагрівають в відновній атмосфері при температурі 550-800°С. (19) (21) a200704665 (22) 26.04.2007 (24) 25.03.2009 (46) 25.03.2009, Бюл.№ 6, 2009 р. (72) ТУПІЦИНА ІРИНА АРКАДІЇВНА, UA, НАГОРНА ЛЮДМИЛА ЛАВРЕНТІЇВНА, UA, ГРИНЬОВ БОРИС ВІКТОРОВИЧ, UA (73) ІНСТИТУТ СЦИНТИЛЯЦІЙНИХ МАТЕРІАЛІВ НАН УКРАЇНИ, UA (56) SU 1515796 A1, C30B 33/00, 29/32, 07.12.1992 UA 10831 A, C30B 33/00, 25.12.2006 GB 2089777 A, C01G 41/00, C09K 11/38, 30.06.1982 JP 61000360 A, C04B 35/44, C09K 11/08, 11/80, 12.04.1994 3 центрів захвату та значного збільшення рівня післясвітіння. Відомий спосіб вирощування монокристалу вольфрамату кадмію, який включає наплавлення шихти стехіометричного складу та вирощування витягуванням з розплаву на затравку в атмосфері, що містіть кисень, при цьому в шихту, чи в розплав додатково вводять домішки сполук трьохвалентних металів (Fe, Ho, Bi, Eu, Gd та інш.) в кількості (1×10-4 - 1×10-3)мас.%., що в середньому відповідає 10-4¸5×10-3мол.% [пат. №20590 Україна, С30В153/00]. Домішки знижують пропускання кристалу CdWO4, що погіршує світловий вихід до 5099% відносно номінально чистого, але значно покращують радіаційну стійкість. Зміна світлового виходу кристалів з домішками заявлених трьохвалентних металів через 1 годину після опромінювання дозою 5×10-5Гр складала не більше ніж 2% (приклад 2). У роботі не вказані величини післясвітіння, але монокристали, отримані нами цим способом, мали великий рівень післясвітіння ~300¸800ррm. У вищенаведених аналогах у CdWO4 додавались сполуки металів, які створювали домішкові дефекти та модифікували структуру власних дефектів, що приводило до збільшення радіаційної стійкості, але при цьому погіршувались значення світлового виходу та післясвітіння. Відомий спосіб [в.з. №6100360 Японія, С04В35/44; С09К11/08] термообробки оксидних сцинтиляційних кристалів - алюмінатів рідкоземельних металів Re1-x ZxAlO3 (де Re - Gd та Y; Z - Ce, Pr, Nd, Eu, Ho, Er, Cr, V, Ni, Co, Ті; 0

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for heat treatment of scintillation monocrystals of cadmium tungstate

Автори англійською

Tupitsyna Iryna Arkadiivna, Nahorna Liudmyla Lavrentiivna, Hryniov Borys Viktorovych

Назва патенту російською

Способ термообработки сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия

Автори російською

Тупицина Ирина Аркадиевна, Нагорная Людмила Лаврентиевна, Гринев Борис Викторович

МПК / Мітки

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: термообробки, сцинтиляційних, кадмію, монокристалів, спосіб, вольфрамату

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-86104-sposib-termoobrobki-scintilyacijjnikh-monokristaliv-volframatu-kadmiyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб термообробки сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію</a>

Подібні патенти