Спосіб отримання монокристалів cdte:cl p-типу провідності

Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, оптоелектроніці. Монокристали телуриду кадмію широко використовуються як детектори іонізуючого випромінювання, активні елементи пристроїв нелінійної оптики, підкладки для CdZnTe та CdHgTe (С. Scheiber, G.C. Giakos. Medical applications of CdTe and CdZnTe detectors// Nuclear Instruments and Methods A. - 2001. - 458(1-2). - pp.12-25). Синтезовані сполуки вирощують методом Бріджмена при подальшому двотемпературному відпалі (Физика и химия соединений АIIBVI / Под ред. С.А. Медведеева. - М.: Мир, 1970. - 624с.). Описані способи не забезпечують отримання матеріалу із наперед заданими властивостями. Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують із розплаву методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів (Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. - М.: Наука, 1967. - 176с.). Однак цей метод, через недостатню керованість процесу, не дозволяє отримати напівпровідниковий матеріал з наперед заданими властивостями. Завданням винаходу є створити спосіб одержання монокристалів CdTe:Cl, в якому можна отримувати матеріал з наперед заданим типом провідності. Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання CdTe:Cl, який полягає в тому, що монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів згідно винаходу концентрація легуючої домішки складає NCl=2.1018 см-3, температура відпалу - 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2.102-6.103 Па, час відпалу становить 24 год. Дірковий тип провідності кристалів CdTe:Cl обумовлений переважанням акцепторних вакансій у катіонній підгратці VCd2-. Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl р-типу провідності здійснюється таким чином. Монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 (NCl=2.1018см-3). Одержані монокристали CdTe:Cl обробляють двотемпературним відпалом, температура відпалу складає 1173К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2.102-6.103Па, час відпалу становить 24 год. Приклад конкретного виконання Монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 (NCl=2.1018см-3). Одержат монокристали CdTe:Cl обробляють двотемпературним відпалом, температура відпалу складає 1173 К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 2.102-6.103Па, час відпалу становить 24 год. Одержані монокристали CdTe:Cl мають р-тип провідності з концентрацією носіїв 107-10 8 cм-3 і можуть використовуватись у приладобудуванні, оптоелектроніці для створення бар'єрних структур та р-n-переходів.