Спосіб отримання монокристалів cdte:cl n-типу провідності

Винахід відноситься до технології напівпровідникових матеріалів і може бути застосований у приладобудуванні, оптоелектроніці. Монокристали телуриду кадмію широко використовуються як детектори іонізуючого випромінювання, активні елементи пристроїв нелінійної оптики, підкладки для CdZnTe та CdHgTe [С. Scheiber, G.C. Giakos. Medical applications of CdTe and CdZnTe detectors// Nuclear Instruments and Methods A. - 2001. - 458(1-2). - Р. 12-25]. Синтезовані сполуки вирощують методом Бріджмена при подальшому двотемпературному відпалі [Физика и химия соединений АІІВVI / Под ред. С.А. Медведеева. - М.: Мир, 1970. - 624 с.]. Описані способи не забезпечують отримання матеріалу із наперед заданими властивостями. Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl, в якому монокристали телуриду кадмію вирощують із розплаву методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів [Полупроводниковые соединения, их получение и свойства. - М.: Наука, 1967. – 176 с.]. Однак цей метод, через недостатню керованість процесу, не дозволяє отримати напівпровідниковий матеріал з наперед заданими властивостями. Завданням винаходу є створити спосіб одержання монокристалів CdTe:Cl, в якому можна отримувати матеріал з наперед заданим типом провідності. Поставлене завдання вирішується тим, що у способі отримання CdTe:Cl, який полягає в тому, що монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шляхом додавання в ампулу наважки CdCl2 з подальшим двотемпературним відпалом у парах компонентів згідно винаходу концентрація легуючої домішки складає Ν Cl=2×1018см -3, температура відпалу - 1173К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6×102Па, час відпалу становить 24 год. Електронний тип провідності кристалів CdTe:Cl при низьких парціальних тисках пари кадмію РCd=1-1,6×102Па пов'язаний із переважанням концентрації антиструктурних дефектів донорного типу (Те2+Cd). Спосіб отримання монокристалів CdTe:Cl n-типу провідності здійснюється таким чином. Монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шля хом додавання в ампулу наважки CdCl2 (ΝCl=2×1018см -3). Одержані монокристали CdTe:Cl піддають двотемпературному відпалу при 1173К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6×102Па, час відпалу становить 24 год. Приклад конкретного виконання. Монокристали телуриду кадмію вирощують методом Бріджмена, легування кристалів проводять в процесі росту шля хом додавання в ампулу наважки CdCl2 (ΝCl=2×1018см -3). Одержані монокристали CdTe:Cl обробляють двотемпературним відпалом, температура відпалу складає 1173К, парціальний тиск пари кадмію змінюють у межах 1-1,6×102Па, час відпалу становить 24 год. Одержані монокристали CdTe:Cl мають n-тип провідності з концентрацією носіїв n=1011-1015см -3 і можуть використовуватись у приладобудуванні, оптоелектроніці для створення бар'єрних структур та р-n-переходів.