Патенти з міткою «монокристалах»
Спосіб збільшення об’ємної концентрації водню у сегнетоелектричних монокристалах сімейства аво3
Номер патенту: 27054
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Ягупов Сергій Володимирович, Яценко Олександр Вікторович, Євдокимов Сергій Вікторович
МПК: C30B 30/00
Мітки: водню, збільшення, монокристалах, сегнетоелектричних, аво3, спосіб, об'ємної, сімейства, концентрації
Формула / Реферат:
Спосіб збільшення об'ємної концентрації водню в сегнетоелектричних монокристалах сімейства АВО3 включає термохімічну обробку кристала в кислоті, який відрізняється тим, що кристал після термохімічної обробки запаюють в ампулу, що утримує воду, та проводять відпалювання зразка протягом не менше 10 діб.
Спосіб визначення товщини порушеного поверхневого шару в монокристалах після механічної обробки
Номер патенту: 11259
Опубліковано: 15.12.2005
Автори: Барабаш Роза Ісаківна, Молодкін Вадим Борисович, Низкова Ганна Іванівна, Гинько Ігор Володимирович, Білоцька Алла Олексіївна, Шпак Анатолій Петрович, Когут Михайло Тихонович, Григор'єв Данило Олегович
МПК: G01N 23/20
Мітки: монокристалах, обробки, поверхневого, механічної, порушеного, спосіб, шару, товщини, визначення
Формула / Реферат:
Спосіб визначення товщини поверхневого порушеного шару в монокристалах після механічної обробки, що включає направлення на досліджуваний монокристалічний зразок пучка монохроматичного рентгенівського випромінювання, здійснення дифракції, вимірювання інтенсивності дифрагованого випромінювання і визначення товщини порушеного шару, який відрізняється тим, що здійснюють асиметричну Брегг-дифракцію, попередньо визначають кути падіння...
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш’яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію
Номер патенту: 57444
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Коваленко Віктор Федорович, Літвінова Марина Борисівна
МПК: G01J 3/28
Мітки: нелегованого, визначення, монокристалах, величини, миш'яку, галію, вакансій, співвідношення, арсеніду, концентрацій, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, регістрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за...