Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш’яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію

Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає Винахід відноситься до вимірювальної техніки Відомим Є спосіб ("Оптоэлектроника и полупроводниковая техника", 1998, №33, С 204-211 прототип) визначення величини концентрації атомів вуглецю, що займають вакансії миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, реєстрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, нанесення на вісь ординат шкали значень концентрації атомів вуглецю, що займають вакансії миш'яку, і визначення, за градуювальним графіком, на цій шкалі величини концентрації атомів вуглецю, що займають вакансії миш'яку, яка відповідає величині співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання Однак цим способом неможливо визначити величину співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку, тому що на осі ординат нанесено шкалу значень концентрації атомів вуглецю, що займають вакансії миш'яку Задача винаходу полягає в тому, щоб створити спосіб, в якому за рахунок технологічних можливостей можливо було б визначити величину співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію Це досягається тим, що зразок опромінюють видається під відповідальність власника патенту ВАКАНСІЙ ГАЛІЮ І опромінювання зразка лазером, репстрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за градуювальним графіком на цій шкалі визначають величину співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку, яка відповідає величині співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання лазером, репструють люмінесцентне випромінювання зразка и визначають співвідношення двох певних смуг випромінювання, величину якого відмічають на осі абсцис, на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за градуювальним графіком на цій шкалі визначають величину співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку, яка відповідає величині співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання Запропонований порядок визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку Зразок (кристал GaAs) поміщають у скляному посудину Дьюара з рідким азотом, розташовану на предметному столику На зразок направляють випромінювання гелій-неонового лазера з довжиною хвилі О.бЗмкм Фотолюмінісценція зразка проходить через спектрометр і и репструють на стрічці самописця (або ЕОМ) за допомогою фотопідсилювача або фотодюда За спектром фотолюмінісценцм знаходять величину співвідношення інтенсивності смуги випромінювання з енергією максимуму 1,49еВ (І149), яка обумовлена переходом - домішковий атом вуглецю-валентная зона і інтенсивності крайового випромінювання з енергією максимуму 1,51еВ (h 51), тобто І149/І151 Знайдену величину h 49/I151, відмічають на осі абсцис На осі ординат наносять шкалу значень 1 ю З 57444 співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку На підставі градуювального графіка, ВІДПОВІДНО до величини І149/І151, знаходять величину співвідношення концентрацій вакансій миш'яку ([VAS]) І галію ([VG S ]), тобто [VAS]/[VG 3 ], В кристалі Спосіб призначено для визначення величини Комп'ютерна верстка Л Ціхановська 4 співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в промислових монокристалах напівізолюючого нелегованого арсеніду галію, що одержані ВІДПОВІДНО ДО ТУ 48-4-276-92 (концентрація фонової ДОМІШКИ вуглецю ~ 5 - 1 0 1 6 С М ) та їх закордонних аналогів Підписано до друку 05 07 2003 Тираж 39 при м Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна