Спосіб збільшення об’ємної концентрації водню у сегнетоелектричних монокристалах сімейства аво3
Номер патенту: 27054
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Євдокимов Сергій Вікторович, Яценко Олександр Вікторович, Ягупов Сергій Володимирович
Формула / Реферат
Спосіб збільшення об'ємної концентрації водню в сегнетоелектричних монокристалах сімейства АВО3 включає термохімічну обробку кристала в кислоті, який відрізняється тим, що кристал після термохімічної обробки запаюють в ампулу, що утримує воду, та проводять відпалювання зразка протягом не менше 10 діб.
Текст
Спосіб збільшення об'ємної концентрації водню в сегнетоелектричних монокристалах сімейства АВО3 включає термохімічну обробку кристала в кислоті, який відрізняється тим, що кристал після термохімічної обробки запаюють в ампулу, що утримує воду, та проводять відпалювання зразка протягом не менше 10 діб. (19) (21) u200707016 (22) 22.06.2007 (24) 10.10.2007 (72) ЯЦЕНКО ОЛЕКСАНДР ВІКТОРОВИЧ, UA, ЄВДОКИМОВ СЕРГІЙ ВІКТОРОВИЧ, UA, ЯГУПОВ СЕРГІЙ ВОЛОДИМИРОВИЧ, UA (73) ТАВРІЙСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМ. В.І. ВЕРНАДСЬКОГО, UA 3 27054 4 Способ реалізується таким чином. Беруть сегнетоелектричний монокристал, наприклад LiNbO3, поміщають у посудину з кислотою й нагрівають до температури нижче температури кипіння кислоти, потім витримують протягом від 1 до 24 годин. При цьому приповерхній шар кристала збагачується іонами водню. Потім кристал поміщають в ампулу з водою. Наприклад, при обсязі ампули 10см3, у ній утримується 0,05г води, що забезпечує при температурі нагрівання 600°С, тиск парів води 20атм. Ампулу з розташованим у неї кристалом запаюють і поміщають у піч із температурою 600-650оС, проводять відпалювання зразка протягом не менш 10 діб, при цьому іони водню рівномірно перерозподіляються по всьому обсязі монокристала. Параметри об'ємної концентрації іонів водню наведені в таблиці. Заявлений спосіб забезпечує додаткове збільшення об'ємної концентрації іонів водню, рівномірний розподіл іонів водню по обсязі кристала й запобігають депротонізації зразка. Таблиця Концентрація іонів Н+ у зразках LiNb3 кубічної форми обсягом 1см3 кислота пірофосфорна бензойна бензойна * бензойна * бензойна * адіпінова адіпінова адіпінова 1-й етап обробки температура, °3 240 240 230 240 240 254 254 254 * з додаванням 1.5% бензоата літію Час відпалювання ,ч 7 8 12 4 48 1 3 5 2-й етап обробки температура й тиск Час відпалювання, ч 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 600°3, 20 атм. 240 N, *1018см-3 8.24 10.26 5.232 1.74 8.24 4.36 7.41 9.37
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for hydrogen volume concentration increase in ferroelectric monocrystals of аво3 family
Автори англійськоюYatsenko Oleksandr Viktorovych, Yevdokymov Serhii Viktorovych, Yahupov Serhii Volodymyrovych
Назва патенту російськоюСпособ увеличения объемной концентрации водорода в сегнетоэлектрических монокристалах семейства аво3
Автори російськоюЯценко Александр Викторович, Евдокимов Сергей Викторович, Ягупов Сергей Владимирович
МПК / Мітки
МПК: C30B 30/00
Мітки: монокристалах, водню, спосіб, збільшення, сегнетоелектричних, концентрації, аво3, сімейства, об'ємної
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-27054-sposib-zbilshennya-obehmno-koncentraci-vodnyu-u-segnetoelektrichnikh-monokristalakh-simejjstva-avo3.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб збільшення об’ємної концентрації водню у сегнетоелектричних монокристалах сімейства аво3</a>
Спосіб визначення концентрації водню в маловуглецевих сталях за параметрами магнітної післядії
Номер патенту: 71821
Опубліковано: 15.12.2004
Автори: Андрейків Олександр Євгенович, Гембара Оксана Володимирівна, Чекурін Василь Феодосієвич, Іваницький Ярослав Лаврентійович
МПК: G01N 17/00
Мітки: спосіб, сталях, концентрації, магнітної, післядії, водню, маловуглецевих, визначення, параметрами
Формула / Реферат:
Спосіб визначення концентрації водню в маловуглецевих сталях за параметрами магнітної післядії, який включає вимірювання часу релаксаційних процесів у матеріалі, який відрізняється тим, що вихідний та наводнений зразки намагнічують зовнішнім магнітним полем, вимірюють час залишкової намагніченості кожного зразка і визначають концентрацію водню за формулою:,де...
Спосіб визначення товщини порушеного поверхневого шару в монокристалах після механічної обробки
Номер патенту: 11259
Опубліковано: 15.12.2005
Автори: Барабаш Роза Ісаківна, Низкова Ганна Іванівна, Когут Михайло Тихонович, Білоцька Алла Олексіївна, Гинько Ігор Володимирович, Молодкін Вадим Борисович, Шпак Анатолій Петрович, Григор'єв Данило Олегович
МПК: G01N 23/20
Мітки: спосіб, обробки, порушеного, механічної, монокристалах, визначення, шару, товщини, поверхневого
Формула / Реферат:
Спосіб визначення товщини поверхневого порушеного шару в монокристалах після механічної обробки, що включає направлення на досліджуваний монокристалічний зразок пучка монохроматичного рентгенівського випромінювання, здійснення дифракції, вимірювання інтенсивності дифрагованого випромінювання і визначення товщини порушеного шару, який відрізняється тим, що здійснюють асиметричну Брегг-дифракцію, попередньо визначають кути падіння...
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш’яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію
Номер патенту: 57444
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Літвінова Марина Борисівна, Коваленко Віктор Федорович
МПК: G01J 3/28
Мітки: концентрацій, вакансій, галію, нелегованого, арсеніду, величини, визначення, спосіб, миш'яку, співвідношення, монокристалах
Формула / Реферат:
Спосіб визначення величини співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку в монокристалах нелегованого арсеніду галію, який включає опромінювання зразка лазером, регістрацію люмінесцентного випромінювання зразка, знаходження величини співвідношення інтенсивностей смуг випромінювання, яку відмічають на осі абсцис, який відрізняється тим, що на вісь ординат наносять шкалу значень співвідношення концентрацій вакансій галію і миш'яку і за...
Спосіб одержання водного розчину перекису водню прямим синтезом з водню та кисню та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 62995
Опубліковано: 15.01.2004
Автори: Делєс Ліонель, Девіс Мішель
МПК: B01J 19/00, B01J 10/00, B01J 19/18, B01J 12/00, C01B 15/00, B01J 23/44
Мітки: водного, спосіб, перекису, кисню, водню, прямим, пристрій, одержання, здійснення, синтезом, розчину
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання водного розчину перекису водню в реакторі перемішування безпосередньо з водню і кисню, який відрізняється тим, що водень і кисень вдувають у формі дрібних бульбашок у нижню частину водного реакційного середовища, що підкислюють додаванням мінеральної кислоти, в реакторі, який містить каталізатор у дисперсному стані, при цьому швидкість потоків така, що відношення швидкості молярного потоку водню до швидкості молярного...
Матеріал для зберігання водню із високою ємністю (варіанти), стрічка зі сплаву для зберігання водню, сплав для зберігання водню
Номер патенту: 59353
Опубліковано: 15.09.2003
Автори: Овшінскій Стенфорд Р., Фетсенко Майкл А., Річман Бенджамін, Янг Кво, Чао Бенджамін С., Ім Джун Су
МПК: C22C 14/00, C22C 19/00, C22C 16/00, C22C 27/00, H01M 4/38, C01B 3/00
Мітки: матеріал, ємністю, зберігання, водню, сплав, високою, сплаву, стрічка, варіанти
Формула / Реферат:
1. Матеріал для зберігання водню з високою ємністю, який відрізняється тим, що густина місць зберігання водню перевищує 1,21023/см3.2. Матеріал для зберігання водню за пунктом 1, який відрізняється тим, що густина місць зберігання водню перевищує 1,51023/см3.3. Матеріал для зберігання водню...
Попередній патент: Пляшка
Наступний патент: Спосіб діагностики адреногенітального синдрому в жінок репродуктивного віку
Випадковий патент: Спосіб виготовлення композиційного магнітно-абразивного порошку