Патенти з міткою «напівпровідниковий»

Номер патенту: 33405

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Кравчук Наталія Сергійовна

МПК: G01K 7/00

Мітки: вимірювач, напівпровідниковий, температури

Текст:

...на пере творення температури в частоту у запропонованому, причому затвор першого польового транзистора через термочуїливий опір з'єднаний з пертим полюсом першого джерела напруги, а другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, при цьому витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзис тора з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого...

Номер патенту: 33118

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Елена Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 5/00

Мітки: напівпровідниковий, датчик, вологості

Текст:

...введена пасивна індуктивність, друге джерело постійної напруги живлення, резистор і конденсатор, причому затвор першого польового транзистора через обмежувальний резистор з'єднаний з першим полюсом першого джерела напруги, другий полюс першого джерела напруги з'єднаний із стоком другого польового транзистора, витоки першого і другого польових транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора з'єднаний із стоком першого...

Номер патенту: 33119

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Елена Володимирівна, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H04R 19/00

Мітки: мікрофон, електростатичний, напівпровідниковий

Текст:

...транзисторів з'єднані між собою, а затвор другого польового транзистора, паралельно стоку і витоку якого підключено другий чутливий до тиску конденсатор, з'єднаний із стоком першого польового транзистора, до якого підключена перша вихідна клема та перший вивід пасивної індуктивності, другий вивід пасивної індуктивності з'єднаний з першим виводом конденсатора і першим полюсом другого джерела напруги, другий вивід конденсатора з'єднаний з...

Номер патенту: 29640

Опубліковано: 15.11.2000

Автор: Шульга Григорій Федорович

МПК: H05K 7/20, H01L 23/00

Мітки: напівпровідниковий, перетворювач

Текст:

...расположении блоков, для замены тиристоров необходимо специальное устройство для снятия веса вышеустановленных вентилей и радиаторов. К тому же, элементы защиты, сигнализации, передачи и приема импульсов управления каждого блока в прототипе размещены на нескольких вертикальных панелях, что вызывает значительные материало и трудозатраты, наличие поворотной рамы и большого количества межпанельных разъемных и неразъемных гибких электрических...

Номер патенту: 313

Опубліковано: 30.04.1999

Автори: Живов Михайло Давидович, Мороз Юрій Віталійович, Дубина Віктор Григорович

МПК: H01M 10/42, H01L 31/00

Мітки: електричний, сонячної, напівпровідниковий, струм, перетворювач, енергії

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм, що містить лицьову панель у вигляді набору напівпровідникових елементів і клавіш керування, встановлених в корпусі, забезпеченому підпором для орієнтації на джерело світлової енергії, який відрізняється тим, що лицьова панель виконана у формі набору з'ємних напівпровідникових модулів.2. Напівпровідниковий перетворювач сонячної енергії в електричний струм за п. 1,...

Номер патенту: 16681

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Селегенев Євген Михайлович, Сілін Віталій Іванович, Вербицький Олег Петрович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: H01L 31/04, G01T 1/20, G01T 1/24 ...

Мітки: випромінювань, напівпровідниковий, детектор, одержання, іонізуючих, інтегральній, спосіб

Формула / Реферат:

1. Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений, содержащий выполненные из соединений АIIВVI сцинтиллятор и интегрально нанесенный на него фотоприемник, образующий р-n-переход с материалом сцинтиллятора, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности детектора и ее стабильности во времени, р-n-переход состоит из твердого раствора соединений АIIВVI, покрывающего поверхность сцинтиллятора.2. Детектор по п. 1,...

Номер патенту: 20455

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Косінський Олексій Сергійович, Касаткін Леонід Веніамінович, Бєлкін Володимир Володимирович, Карушкін Микола Федорович

МПК: H03B 19/00

Мітки: нвч, потужний, помножувач, частоти, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Мощный СВЧ полупроводниковый умножи­тель частоты, содержащий входной и выходной волноводы прямоугольного поперечного сечения, связанные друг с другом отрезком коаксиальной линии с центральным проводником, являющимся штырем связи, проходящим через широкую стенку выходного волновода перпендикулярно к ней, по­лупроводниковый умножительный диод, установ­ленный в разрыве штыря связи, режекторный фильтр, пропускающий входной и отражающий выходной...

Номер патенту: 10857

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кіяновський Олександр Павлович, Сухина Юрій Юхимович, Паламарчук Олександр Леонідович, Ярандін Володимир Анатолійович, Ушенін Юрій Валентинович

МПК: H03M 1/22

Мітки: кут-код, кодовий, перетворювачів, фотоприймач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Кодовый полупроводниковый фотоприемник для преобразователей «угол-код», содержащий подложку, расположенные на ней в соответствии с п-разрядным кодом Грея 2n кольцевых дорожек, содержащих фоточувствительные и фотоне­чувствительные ячейки, каждому j-му разряду со­ответствуют две идентичные кодовые дорожки, смещенные одна относительно другой на длину фотоячейки 1-го разряда, сигнальные электроды, отличающийся тем, что кодовое поле фото­приемника...

Номер патенту: 9819

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Яблоновський Євгеній Іванович, Константінов Вячєслав Міхайловіч, Ігумєнов Валєрій Тімофєєвіч, Болгов Сергій Семенович, Салюк Ольга Юріївна, Морозов Владімір Алєксєєвіч

МПК: H01L 33/00

Мітки: інфрачервоний, напівпровідниковий, випромінювач

Формула / Реферат:

(57) Инфракрасный полупроводниковый излучатель на основе гетероэпитаксиальной структуры, с омическими контактами к узкозонному слою, помещенной в магнитное поле, параллельное слоям гетероструктуры, причем толщина узкозонного слоя не менее диффузионной длины неосновных носителей заряда, отличающийся тем, что на поверхности узкозонного слоя, свободной от омических контактов, дополнительно размещен прозрачный автоэпитаксиэльный слой с...

Номер патенту: 8404

Опубліковано: 29.03.1996

Автор: Наконечний Володимир Федорович

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00

Мітки: напівпровідниковий, перетворювальний, модуль

Формула / Реферат:

Полупроводниковый преобразовательный модуль, содержащий корпус, выполненный из скрепленных между собой боковыми стойками концевых опор, между которыми расположены ин­дивидуально охлаждаемые полупроводниковые приборы, собранные поочередно с радиаторами и сжатые общим прижимным устройством, и распре­делительный коллектор, отличающийся тем, что, с целью улучшения равномерности распределения охлаждающего потока по радиаторам при одновре­менном...

Номер патенту: 7966

Опубліковано: 26.12.1995

Автор: Шустеров Олександр Матвійович

МПК: H03B 29/00, A61N 5/00

Мітки: генератор, міліметрового, квазімонохроматичного, надширокосмуговий, діапазону, сигналу, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Сверхширокополосный полупроводниковый генератор клазимонохроматического сигнала мил­лиметрового диапазона, содержащий генератор, уп­равляемый напряжением, последовательно соединенный с нелинейным элементом с регули­ровкой рабочей точки, отличающийся тем, что в него введен регулируемый генератор постоянного напряжения, выход которого соединен с входом ге­нератора, управляемого напряжением, регулируе­мый генератор постоянного тока, выход...

Номер патенту: 7953

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Павленко Віктор Олександрович, Шустеров Олександр Матвійович

МПК: A61N 5/00, H03B 29/00

Мітки: напівпровідниковий, міліметрового, надширокосмужний, діапазону, генератор, шуму

Формула / Реферат:

Сверхширокополосный полупроводниковый генератор шума миллиметрового диапазона, со­держащий низкочастотный полупроводниковый генератор шума, отличающийся тем, что в него введен мультипликативный переносчик частоты, состоящий из последовательно соединенных гене­ратора, управляемого напряжением, нелинейного элемента с регулировкой рабочей точки и фильтра, при этом вход переносчика соединен с выходом низкочастотного генератора шума, а выход...

Номер патенту: 3236

Опубліковано: 26.12.1994

Автор: Юнісов Леонід Юхимович

МПК: H01P 1/22, H01P 1/10

Мітки: напівпровідниковий, нвч, пристрій

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковое СВЧ устройство, содержащее отрезок прямоугольного волновода с первыми металлическими клинообразными гребнями на его широких стенках и установленной между ними, в Е-плоскости отрезка прямоугольного волновода на его оси симметрии, щелевой линией с полупроводниковыми элементами, которые включены в ней на расстоянии  один от другого, где

Номер патенту: 3113

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Левітін Наум Моісейович, Фрідман Григорій Беніамінович, Ковальов Георгій Володимирович

МПК: H01L 25/04

Мітки: блок, перетворювальний, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Полупроводниковый преобразовательный блок, содержащий полупроводниковые приборы и предохранители, установленные каждый на своей снабженной токоподводом с одной стороны токопроводящей шине переменного и постоянного токов, одна из которых выполнена П-образной формы, отличающийся тем, что, с целью повышения на­дежности и уменьшения расхода цветного металла путем улучшения токораспределения между полупроводниковыми приборами и компенсации...