Патенти з міткою «напівпровідниковий»

Номер патенту: 34141

Опубліковано: 25.07.2008

Автори: Вікулін Іван Михайлович, Дмитрієв Михайло Володимирович

МПК: H01J 15/00, H01L 31/042

Мітки: напівпровідниковий, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий фотоприймач, що містить випрямні контакти, який відрізняється тим, що на освітлюваній стороні розташовано чотири напівпрозорі електроди, створюючі з напівпровідником випрямні контакти, електрично не зв'язані між собою і розділені зазорами шириною, рівною діаметру світлової плями d, а в центрі фотоприймача електроди рівновіддалені один від одного на відстань D, яка дорівнює d+2L, де L - дифузійна довжина неосновних...

Номер патенту: 32856

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Шевцов Євген Володимирович, Пименов Валентин Миколайович, Пименов Олександр Валентинович, Рудаков Валерій Петрович, Нагорний Михайло Олександрович, Гурманкін Ігор Григорович

МПК: H01L 23/00

Мітки: вибухобезпечний, напівпровідниковий, пристрій

Формула / Реферат:

1. Вибухобезпечний напівпровідниковий пристрій, що містить вибухобезпечний корпус, розділений внутрішніми вибухонепроникними перегородками на окремі відсіки і кабельні коробки введення і виводу, в яких встановлені прохідні струмопровідні затискачі, силові комутаційні апарати, струмопровідні шини, з'єднані із згаданими затискачами, силовий напівпровідниковий блок із системою керування, розміщений в окремому відсіку, пристрій захисту,...

Номер патенту: 18849

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Діденко Валерій Петрович, Мнухін Анатолій Григорович, Кібрик Ісаак Соломонович

МПК: H01L 25/10

Мітки: модуль, напівпровідниковий, силовий

Формула / Реферат:

Силовий напівпровідниковий модуль, що містить корпус з умонтованими силовими напівпровідниковими структурами, їх вхідні та вихідні виводи, який відрізняється тим, що зовнішню поверхню корпусу, після надання їй адгезії до епоксидної композиції, оснащено шаром епоксидної композиції.

Номер патенту: 77055

Опубліковано: 16.10.2006

Автори: Гриньов Борис Вікторович, Рижиков Володимир Діомидович, Сілін Віталій Іванович

МПК: H01L 31/0264, C30B 29/48

Мітки: спосіб, напівпровідниковий, сполук, сцинтиляційний, матеріал, аiiвvi, одержання, основі

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий сцинтиляційний матеріал на основі сполук АIIBVI, який містить активуючу домішку одного з компонентів і другу домішку одного з компонентів, що утворює з початковою сполукою твердий розчин заміщення, при цьому як активуюча домішка та заміщувальна домішка вибрані компоненти, що утворюють бінарні сполуки АIIBVI і які мають різницю співвідношень параметрів кристалічної решітки в порівнянні з початковою сполукою...

Номер патенту: 16624

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Термена Ірина Святославівна, Копил Олександр Іванович

МПК: C30B 13/00

Мітки: напівпровідниковий, матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі Bi-Te-Se-Sb для термоелектричних генераторів, який відрізняється тим, що має склад Sb1,5Bi0,5Se0,09Te2,9-x, де (0,005>х>0,004), що включає 0,15-0,22 вагових відсотків Pb1-yGeyTe, де (0,06у0,05).

Номер патенту: 75975

Опубліковано: 15.06.2006

Автори: Русецький Ігор Анатолійович, Колбасов Геннадій Якович, Данько Дмитро Борисович, Солонін Юрій Михайлович

МПК: H01M 6/30

Мітки: водню, елемент, напівпровідниковий, фотоелектрохімічний, накопиченням

Формула / Реферат:

Фотоелектрохімічний напівпровідниковий елемент з накопиченням водню, до складу якого входить накопичувальний електрод, що знаходиться у лужному розчині в електродному просторі, відділеному катіонообмінною мембраною, та фотоелектрод, що знаходиться у полісульфідному розчині, який відрізняється тим, що накопичувальний електрод виготовлений із сплаву-сорбенту водню LaNi2,5Co2,4Al0,1, а фотоелектрод виготовлений із арсеніду галію електронного...

Номер патенту: 53181

Опубліковано: 17.10.2005

Автор: Наконєчний Володимир Федорович

МПК: H05K 7/20

Мітки: повітряним, напівпровідниковий, природним, перетворювач, охолодженням

Формула / Реферат:

Засіб для внутрішнього застосування для лікування і профілактики функціональних порушень місцевого кровообігу, що містить есцинвмісну речовину з плодів каштана кінського, тіаміну хлорид, спирт етиловийта воду очищену, який відрізняється тим, що як есцинвмісну речовину використовують сухий екстракт плодів каштана кінського із вмістом есцину 40-80% при такому співвідношенні компонентів, мас. %: сухий екстракт плодів каштана ...

Номер патенту: 8493

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Ніколаєнко Юрій Єгорович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: надвисокочастотний, арсеніду, напівпровідниковий, ганна, галію, діод

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний діод Ганна з арсеніду галію, що містить металокерамічний корпус, елементи з'єднання, тепловідвід із золота та встановлену на ньому мезаструктуру, яка виконана у вигляді диска із арсеніду галію типу n-n+-n++, на якій зі сторони n++ сформовано анодний омічний контакт, а зі сторони n сформовано пошаровий катодний омічний контакт, який включає шар золото-германієвого сплаву, антидифузійний шар із дибориду...

Номер патенту: 7353

Опубліковано: 15.06.2005

Автор: Наконечний Володимир Федорович

МПК: H01H 85/00, H05K 7/02

Мітки: перетворювач, напівпровідниковий, силовий, охолодженням, природним, повітряним

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий перетворювач переважно з природним повітряним охолодженням, що містить напівпровідникові прилади та індивідуальні охолоджувачі, що знаходяться з ними в тепловому та електричному контакті, встановлені у вигляді вертикальних та горизонтальних рядів, індивідуальні охолоджувачі орієнтовані ребрами вздовж конвекційного повітряного потоку та утворюють паралельну систему повітряного охолодження напівпровідникових...

Номер патенту: 73088

Опубліковано: 15.06.2005

Автор: Шульга Григорій Федорович

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Модуль силовий напівпровідниковий, що містить послідовно з'єднані напівпровідниковий вентиль і охолоджувач з масивною основою, установочно-контактною площадкою і ребристою поверхнею, яка розташована перпендикулярно до установочно-контактної площадки, два силові струмопроводи та систему притискання вентиля до охолоджувача, який відрізняється тим, що кожен охолоджувач розміщений у окремому повітропроводі, вхідний торець якого знаходиться з...

Номер патенту: 71190

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01T 3/00

Мітки: швидких, пристрій, напівпровідниковий, виміру, нейтронів, дози

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру дози швидких нейтронів, який містить чутливий до радіації нейтронів польовий транзистор і джерело постійної напруги, який відрізняється тим, що в нього введені другий і третій чутливі до радіації нейтронів польові транзистори, перший і другий резистори, перша і друга ємності і друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого...

Номер патенту: 3324

Опубліковано: 15.11.2004

Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/00, H01L 35/00

Мітки: напівпровідниковий, термостатований, фотоприймач

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий термостатований фотоприймач, який містить фотоприймач, приєднаний до теплопоглинаючої сторони термоелектричного модуля, тепловиділяюча сторона якого з'єднана з тепловідводом, який відрізняється тим, що на зворотному боці напівпровідникового фотоприймача додатково розташований шар діелектрика з електрокомутаційними доріжками, до яких приєднані гілки термоелектричного модуля.

Номер патенту: 67923

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Васильєв Борис Олександрович, Чмихов Микола Віссаріонович, Сорока Володимир Леонідович

МПК: H01L 25/00

Мітки: модуль, напівпровідниковий, силовий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить пластини, що відводять тепло, з розташованими на них напівпровідниковими елементами зі штирьовими виводами, із припаяними до цих штирьових виводів пелюстками, що відводять струм, шини, втулки і стяжки, який відрізняється тим, що пелюстки, які відводять струм, виконані у вигляді n променевої зірочки з одним центральним отвором під кріплення, що відводить струм, і n отворами на кінцях n...

Номер патенту: 62975

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Фрей Тоні, Ланг Томас, Бухер Бенно

МПК: H01L 25/07

Мітки: силовий, напівпровідниковий, модуль

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, що містить нижню плату, верхню плату і щонайменше один напівпровідниковий кристал, який першим головним електродом сполучений з нижньою платою, а другим головним електродом через підпружинений електричний контактний елемент - з верхньою платою, який відрізняється тим, що передбачено щонайменше один пружинний елемент, який виконано з можливістю розсовувати щонайменше один контактний елемент у положення, що...

Номер патенту: 61210

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Носанов Максим Миколайович, Дебелий Володимир Леонідович, Рєдкозубов Олексій Олексійович, Сидоров Максим Григорович, Шемяков Олександр Антонович, Пащенко Валентин Павлович, Пащенко Олексій Валентинович, Носанов Микола Ілліч

МПК: H02H 3/16

Мітки: напівпровідниковий, відключення, пристрій, захисного

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій захисного відключення, що включає силовий семістор, підсумовуючий трансформатор струму, герконове реле з розмикаючим контактом, тиристорний блок керування і обмежники піків напруги, який відрізняється тим, що включає шунтуючий ланцюг, який містить послідовно з'єднані шунтуючий резистор та замикаючий контакт герконового реле і ввімкнений між PEN і L на виході силового семістора.

Номер патенту: 61126

Опубліковано: 17.11.2003

Автори: Келлер Томас, Едегард Б'єрн, Клетт Олександр, Клака Свен, Грюнінг Хорст, Реес Йохен, Майбах Філіпп

МПК: H01L 23/02

Мітки: пристрій, силовий, цим, елемент, напівпровідниковий, елементом

Формула / Реферат:

1.Силовий напівпровідниковий елемент (3), зокрема тиристор, що містить розміщену в корпусі (30) напівпровідникову підкладку (31), анод (33), катод (34), кільцевий вивід (35) керуючого електрода, що виступає за корпус (30), і кільцевий вивід (36) допоміжного катода, що виступає за корпус (30) для забезпечення контакту допоміжного катода, який відрізняється тим, що вивід (36) допоміжного катода і/або вивід (35) керуючого електрода мають на...

Номер патенту: 60298

Опубліковано: 15.10.2003

Автор: Стокмайер Томас

МПК: H01L 25/10

Мітки: множиною, модуль, силовий, підмодулів, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль (10) з множиною підмодулів (1), що містять відповідно, щонайменше, один напівпровідниковий чип (5а, 5b), причому підмодулі (1) закріплені на загальній опорній платі (11), що відводить тепло, і мають електричний контакт з провідниками (12, 14, 18), що приєднуються ззовні, який відрізняється тим, що щонайменше один напівпровідниковий чип (5а, 5b) підмодуля (1) вміщений в оболонку, яка містить зовнішні...

Номер патенту: 59400

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Зедлак Хольгер, Поккрандт Вольфганг, Віманн Ханс-Хайнріх

МПК: G11C 16/04

Мітки: пристрій, двотранзисторними, запам'ятовуючими, комірками, напівпровідниковий, енергонезалежними, запам'ятовуючий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий запам'ятовуючий пристрій, що містить щонайменше одну запам'ятовуючу комірку, яка характеризується такими ознаками:- вона містить n-канальний транзистор (АТ1, АТ2; АТ11, АТ12) вибору і n-канальний запам'ятовуючий транзистор (ST1, ST2; ST11, ST12),- n-канальний транзистор (АТ1, АТ2; АТ11, АТ12) вибору має вивід затвора, а також два виводи каналу, причому вивід затвора з'єднаний з шиною рядка (AG1), яка веде...

Номер патенту: 58535

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Поккрандт Вольфганг, Аллінгер Роберт

МПК: H01L 27/02, H01L 23/52

Мітки: напівпровідниковий, чіп, покриттям, поверхневим

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий чіп, який містить схеми (Т1, Т2), реалізовані у щонайменше одному шарі напівпровідникової підкладки (1) і розміщені у щонайменше одній функціональній групі, а також доріжки живлення і сигнальні доріжки (Vм, Vж, СД1, СД2), розміщені над схемами у щонайменше одному з'єднувальному рівні (3), який відрізняється тим, що у щонайменше одному з'єднувальному рівні (3) над щонайменше однією групою схем  доріжки живлення і...

Номер патенту: 58516

Опубліковано: 15.08.2003

Автори: Штампка Петер, Хубер Міхаель, Удо Детлеф

МПК: H01L 21/60, G06K 19/077

Мітки: вмонтованим, інтегральної, картці, кристал, картка, напівпровідниковий, схемі, застосування, кристалом

Формула / Реферат:

1. Картка із вмонтованим кристалом інтегральної схеми (IC), із тілом картки і множиною виконаних з електропровідного матеріалу контактних площадок, які електрично з'єднані з контактними виводами, що  відповідають електронній схемі, виконаній на напівпровідниковій підкладці напівпровідникового кристала IC, яка відрізняється тим, що контактні площадки виготовлені у вигляді структурованого покриття на оберненій до електронної схеми головній...

Номер патенту: 57865

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Плаза Гюнтер, Кукс Андреас, Какошке Рональд, Штокан Регіна, Браун Хельга

МПК: H01L 27/02

Мітки: окремо, елементом, виготовлення, виготовлений, напівпровідникового, розміщеним, елемента, способом, спосіб, з`єднувальним, цим, елемент, напівпровідниковий, також, підкладці

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення напівпровідникового елемента, що містить щонайменше частково розміщену у підкладці з'єднувальну систему, причому він містить щонайменше один розміщений у напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (24) і щонайменше один розміщений на напівпровідниковій підкладці електропровідний з'єднувальний елемент (14, 18), причому спосіб узгоджений зі способом виготовлення МОН-транзисторів щонайменше двох...

Номер патенту: 57774

Опубліковано: 15.07.2003

Автори: Целлєр Ханс-Рудольф, Ланг Томас

МПК: H01L 25/07

Мітки: модуль, силовий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1.  Силовий напівпровідниковий модуль, який містить у корпусі (1) підкладку (2), принаймні дві напівпровідникові мікросхеми (4) з двома основними електродами (5, 6) кожна, по одному контактному поршню (3) для кожної напівпровідникової мікросхеми, причому перші основні електроди (5) знаходяться в електричному контакті з підкладкою (2), а відповідно другі основні електроди (6)  знаходяться в електричному контакті з  контактним поршнем (3), між...

Номер патенту: 56620

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Рибак Роман-Мирон Йосипович, Костюченко Віра Георгієвна, Солодовнік Анатолій Іванович, Павлинів Ярослав Ілліч, Рожковська Людмила Вікторівна, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 23/02, H01L 29/02

Мітки: притискними, контактами, силовий, напівпровідниковий, варіанти, прилад

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з притискними контактами, який містить корпус з металевими струмопровідними електродами, між контактними поверхнями яких розташований напівпровідниковий кристал з одним або двома плоскими термокомпенсаторами, який відрізняється тим, що хоча б одна контактна поверхня термокомпенсатора, яка не є прилеглою до напівпровідникового кристалу, вкрита шаром напиленого алюмінію.2. Прилад за п. 1, який...

Номер патенту: 55555

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Брюкльмайер Ерік-Роджер, Смола Міхаель

МПК: H01L 23/58

Мітки: чіп, покриттям, захисним, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий чіп із захисним покриттям, який містить схеми, реалізовані у щонайменше одному шарі напівпровідникової підкладки і розміщені у щонайменше одній групі схем, а також щонайменше один електропровідний захисний шар (SL), розміщений щонайменше над однією з таких груп схем і електрично з'єднаний щонайменше з однією зі схем (1, 2), який відрізняється тим, що підкладка містить щонайменше один захисний датчик (SS), виконаний таким...

Номер патенту: 54697

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Курінний Едуард Григорович, Носанов Микола Ілліч, Коптіков Віктор Павлович, Пащенко Олексій Валентинович

МПК: H01H 81/00

Мітки: пристрій, пусковий, напівпровідниковий, мініпозистором

Формула / Реферат:

Пусковий напівпровідниковий пристрій з мініпозистором, що включає силовий позистор і притискні плоскі контакти, який відрізняється тим, що він додатково складається із симетричного тиристора, включеного в ланцюг пускової обмотки однофазного електродвигуна і мініпозистора, включеного в ланцюг керування семістора.

Номер патенту: 55154

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Дмитров Євгеній Ігорович, Носанов Микола Ілліч, Курінний Едуард Григорович, Тимченко Володимир Іванович, Шемяков Олександр Антонович, Дебелий Володимир Леонідович, Пащенко Валентин Павлович, Прокопенко Василь Кирилович

МПК: H01H 81/00, H02K 41/025

Мітки: магніторезистором, пристрій, пусковий, напівпровідниковий, високочутливим

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пусковий пристрій з високочутливим магніторезистором, що містить силовий позистор з притискними плоскими контактами, який відрізняється тим, що він складається із симетричного тиристора, включеного в коло пускової обмотки асинхронного однофазного двигуна, підсилювача і високочутливого магніторезистора, первинна обмотка якого включена послідовно з робочою обмоткою, а сам  магніторезистор  з'єднаний з входом підсилювача.

Номер патенту: 55341

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Рассохін Ігор Тимофійович, Сипко Микола Іванович, Бушма Олександр Володимирович

МПК: H01L 33/00, H01L 27/28

Мітки: варіанти, дискретно-аналоговий, напівпровідниковий, індикатор, його

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый дискретно-аналоговый индикатор (его варианты), содержащий М источников излучения прямоугольной формы с размерами а х в, соединенных одноименными полюсами и имеющих один общий и М независимых выводов, отличающийся тем, что, с целью снижения утомляемости оператора при одновременном сокращении энергозатрат на индикацию, в него введены 2М прямоугольных источников излучения с размерами а х с, где

Номер патенту: 1679

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Тоцький Олександр Федорович

МПК: H01L 25/00

Мітки: напівпровідниковий, силовий, модуль

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...

Номер патенту: 52976

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Букрєєв Павло Олександрович, Носанов Микола Ілліч, Курінний Едуард Григорович, Пащенко Валентин Павлович

МПК: H01H 81/00

Мітки: напівпровідниковий, пристрій, пусковий

Формула / Реферат:

Пусковий напівпровідниковий пристрій, що включає силовий позистор і притискні плоскі контакти, який відрізняється тим, що він складається із симетричного тиристора, включеного в ланцюг пускової обмотки однофазного електродвигуна і котушки індуктивності, встановленої в магнітному полі статора робочої обмотки і включеної в ланцюг керування семістора.

Номер патенту: 52974

Опубліковано: 15.01.2003

Автори: Рудін Олег Борисович, Курінний Едуард Григорович, Редкозубов Олексій Олексійович, Носанов Микола Ілліч

МПК: H01H 81/00

Мітки: пристрій, пусковий, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пусковий пристрій, що включає силовий позистор і притискні плоскі контакти, який відрізняється тим, що він складається з датчика струму, виконаного у вигляді кільця з марганець-цинкових феритових матеріалів, первинна обмотка якого включена в нульовий робочий провід однофазного електродвигуна, а вторинна обмотка з'єднана з ланцюгом керування симетричного тиристора, що включений у ланцюг пускової обмотки двигуна.

Номер патенту: 48601

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Прокопова Марія Олександрівна

МПК: G01N 27/12, G01F 1/00

Мітки: газу, вимірювач, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий вимірювач газу, який містить польовий газочутливий транзистор, який відрізняється тим, що в нього введені біполярний транзистор, два джерела постійної напруги, газочутливий резистор, індуктивність, ємність і резистор, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом резистора, а другий вивід резистора підключений до бази біполярного транзистора, емітер якого з'єднаний з витоком польового...

Номер патенту: 46483

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна

МПК: G01N 27/22

Мітки: пристрій, напівпровідниковий, вологості, виміру

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий пристрій для виміру вологості, який містить вологочутливий резистор, який відрізняється тим, що в нього введені другий вологочутливий резистор, біполярний і польовий транзистори, індуктивність, ємність і два джерела постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з першим виводом першого вологочутливого резистора, а другий вивід першого вологочутливого резистора підключений до бази...

Номер патенту: 46079

Опубліковано: 15.05.2002

Автор: Кербер Мартін

МПК: H01L 27/115, H01L 21/70

Мітки: запам'ятовуючий, спосіб, високоінтегрований, виготовлення, пристрій, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Високоінтегрований напівпровідниковий запам'ятовуючий пристрій, що містить n-канальні комірки постійного програмованого запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням (ЕСППЗП=ЕEPROM), виконані у формі колон з n+-легованою областю (6) витоку, що простягається в нижній частині колони (4), та n+-легованою областю (16) стоку, розміщеною на колоні (4), n+-легованим плаваючим затвором (14) та керуючим затвором (15), причому, горизонтальні...

Номер патенту: 46173

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Шайтер Томас, Віллер Йозеф, Фон Бассе Пауль-Вернер

МПК: G06K 9/00, A61B 5/117, G06T 1/00 ...

Мітки: конструктивний, напівпровідниковий, елемент

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий конструктивний елемент, що складається із напівпровідникового корпусу (1), на якому розміщений структурований проміжками шар (5),- пасивувальне покриття, що складається із щонайменше двох нанесених один на інший подвійних пасивувальних шарів (6, 7, 8, 9), яке покриває структурований шар (5) на поверхні напівпровідникового корпусу (1) і заповнює проміжки у структурованому шарі (5),- в якому кожен із...

Номер патенту: 42048

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Ханнеберг Армін, Темпель Георг

МПК: H03K 17/693, H03K 17/10, G11C 16/06 ...

Мітки: включення, схемі, мон-пристрій, напруг, напівпровідниковий, інтегральній, високих

Формула / Реферат:

1. МОН-пристрій включення високих напруг на  напівпровідниковій інтегральній схемі, який відрізняється тим, що він містить перший транзистор, що розташований послідовно з другим транзистором між першим виводом для позитивних напруг і другим виводом для високої негативної напруги, третій транзистор, що розташований послідовно з четвертим транзистором між першим виводом та другим виводом, причому перший і третій транзистори з'єднані...

Номер патенту: 41770

Опубліковано: 17.09.2001

Автори: Павлинів Ярослав Ілліч, Рибак Роман Йосипович, Олішевський Олександр Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Макашов Валерій Федорович

МПК: H01L 29/00

Мітки: стійкістю, термодинамічною, прилад, напівпровідниковий, силовий, високою

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий прилад з високою термодинамічною стійкістю, що містить корпус, утворений з керамічного кільця і тонких металевих манжет, що з'єднують його з двома струмопровідними електродами, між якими знаходяться випрямний елемент, який складається з напівпровідникової структури та одного або двох термокомпенсаторів, і контактні прокладки, а також центруюче ізоляційне кільце, який відрізнясться тим, що центруюче ізоляційне...

Номер патенту: 35809

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Стріха Максим Віталійович, Шепельський Георгій Анатолійович, Венгер Евген Федорович, Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Васько Федір Трохимович, Старий Сергій Васильович

МПК: H01S 5/00

Мітки: хвилі, лазер, діапазону, субміліметрового, змінною, напівпровідниковий, випромінювання, довжиною

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий лазер  зі  змінною довжиною хвилі випроміню­вання  субміліметрового діапазону,  активний елемент  якого  є одно­часно  резонатором  і  являє собою напівпровідниковий монокристал з паралельними робочими поверхнями  та омічними контактами,  який відрізняється тим,  що  активний елемент виконано з  монокристалу  безщілинного напівпровідника  у формі  прямокутного паралелепіпеда,  до якого за допомогою  пуансонів накладається...

Номер патенту: 34250

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Ковальчук Олександр Миколайович, Семеренко Михайло Михайлович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: H01P 1/18

Мітки: напівпровідниковий, фазообертач, нвч

Текст:

...2, до стоку якого підключено резистор навантаження 3. Перший затвор польового транзистора 2 з'єднаний з емітером біполярною транзистора 4, живлення якого здійснюється через розділяючу індуктивність 5, яка послідовно з'єднана з джерелом напруги 6, паралельно якому підключена розділяюча ємність 7. В базу біполярного транзистора включено резистор 8, який регулює величину струму емітерного кола біполярного транзистора. Колектор біполярного...

Номер патенту: 34249

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Семеренко Михайло Михайлович, Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ковальчук Олександр Миколайович

МПК: H03B 7/00

Мітки: коливань, напівпровідниковий, генератор, електричних

Текст:

...повного опору на електродах стік польового транзистора і виток двозатворного польового транзистора. На фігурі подано схему напівпровідникового генератора електричних коливань. Пристрій містить двозатворний польовий транзистор 1, який через резистор 2 з'єднаний із стоком польового транзистора 3 через індуктивність 4 і конденсатор 5, який паралельно підключений до першого джерела напруги 6. Перший і другий затвори польового транзистора...

Номер патенту: 34244

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Олена Володимирівна

МПК: H04R 19/00

Мітки: пристрій, напівпровідниковий, тиску, виміру

Текст:

...транзисторів 3 і 4. Затвор польового транзистора 4 з'єднаний із стоком польового транзистора 3 через резистор 5 і тензодіод 6. Витоки польових транзисторів 3 і 4 з'єднані між собою. Паралельно стокам польових транзисторів 3 і 4 підключено послідовне коло, яке складається із пасивної індуктивності 7 і конденсатора 8 разом із другим джерелом напруги 9. Вихід пристрою утворений стоком польового транзистора 3 і загальною шиною. Напівпровідниковий...