H01L 35/14 — з використанням складів з неорганічних речовин

Номер патенту: 106944

Опубліковано: 10.05.2016

Автор: Горський Петро Володимирович

МПК: H01L 35/14

Мітки: солітонний, генератор

Формула / Реферат:

Солітонний генератор, в якому як напівпровідниковий матеріал з надґраткою використовують матеріал, хімічний склад якого відповідає формулі PbSb2Te4, причому кількість легуючих домішок у матеріалі регулюють так, щоб електропровідність і термоЕРС матеріалу у напрямку, перпендикулярному до шарів, була меншою, ніж у площині шарів.

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 17/00 ...

Мітки: тетратіостанату, матеріалу, спосіб, основі, одержання, талію(і, tl4sns4, монокристалів, термоелектричного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: розчину, основі, твердого, тl9вise6-tl4snse4, системі, матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/34, H01L 35/14, H01L 35/16 ...

Мітки: moнokpиctaлib, основі, tepmoeлektpичнoгo, розчину, вигляді, талію, матеріалу, твердого, одержання, tpиtioctaнatу, cпociб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: tl9bіsе6-tl4snse4, основі, системі, матеріал, розчину, термоелектричний, твердого

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.