H01L 35/16 — містять телур, селен або сірку

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Філеп Михайло Йосипович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Когутич Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, H01L 35/00, H01L 35/16 ...

Мітки: триселеностанату(іі)-тi4snse3, покращення, спосіб, термоелектричної, потужності, полікристалічного, тетраталію(і

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: H01L 35/16

Мітки: термоелектрик, tl5.63bi0.70se3.67, основі, евтектики, середньотемпературний

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Номер патенту: 114114

Опубліковано: 25.04.2017

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16

Мітки: tlbise2-tl4snse4, термоелектричною, матеріал, основі, потужністю, системі, розчину, твердого, підвищеною

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій(І)монобісмут(III)диселенід - TlBiSe2, який відрізняється тим, що має у складі тетраталій(І)моностанум(IV)тетраселенід - Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005.

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, C22F 1/16

Мітки: обробки, спосіб, сплаву, термічної, snse2)0.55(tlbise2)0.45, евтектичного

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01B 19/00 ...

Мітки: талій, перспективного, tlbise2, термоелектрика, енергозберігаючого, твердофазного, синтезу, диселеніду, бісмут, спосіб, ііі

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: сплаву, термоелектричної, спосіб, snse2)0.55(tlbise2)0.45, евтектичного, добротності, покращення

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Беца Володимир Васильович, Габорець Наталія Йосипівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C01G 29/00, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектрик, основі, ефективний, евтектики, середньотемпературний, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 15/00, C21D 1/60, C01B 19/00 ...

Мітки: матеріалу, основі, ефективності, tl9bise6, спосіб, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, сполуки, термоелектричної, підвищення

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: вихідного, матеріал, складу, середньотемпературний, альтернативний, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, термоелектрик, основі, твердого, розчину

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: snse2-tlbise2, термоелектричної, системі, ефективності, евтектичного, сплаву, підвищення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C21D 1/60, H01L 35/16, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричної, основі, спосіб, сполуки, tl9bise6, підвищення, нонаталій, ефективності, гексаселенобісмутиту, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 76363

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Черкез Радіон Григорович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/26, H01L 35/18 ...

Мітки: термоелемент

Формула / Реферат:

1. Термоелемент на основі гілок з термоелектричних матеріалів  та типів провідності з каналами (порами), який відрізняється тим, що проникні гілки термоелемента утворені послідовно з'єднаними сегментами (секціями) термоелектричних матеріалів з різними властивостями.2. Термоелемент за п. 1, який...

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/14, H01L 35/34 ...

Мітки: вигляді, талію, розчину, tpиtioctaнatу, матеріалу, cпociб, основі, tepmoeлektpичнoгo, одержання, moнokpиctaлib, твердого

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.