Баловсяк Сергій Васильович
Спосіб визначення величини деформаційних полів кристала на основі х-променевого муарового зображення в кремнієвому lll-інтерферометрі
Номер патенту: 121378
Опубліковано: 11.12.2017
Автори: Литвин Петро Мар'янович, Баловсяк Сергій Васильович, Яремчук Іванна Володимирівна, Фодчук Ігор Михайлович
МПК: G06F 17/00, G01T 1/16, G06F 17/17 ...
Мітки: кристала, деформаційних, зображення, lll-інтерферометрі, х-променевого, величини, кремнієвому, муарового, спосіб, визначення, полів, основі
Формула / Реферат:
Спосіб визначення величини деформаційних полів кристала на основі розподілу інтенсивності Х-променевого муарового зображення f, отриманого в кремнієвому LLL-інтерферометрі, який полягає в тому, що для отримання фазового муару в інтерферометрі встановлюють однорідну клиноподібну пластину, на основі цифрового муарового зображення f обчислюють енергетичний спектр Фур'є Ps та його радіальний розподіл FR, а значення максимальної зосередженої сили...
Спосіб визначення середньої арифметичної висоти нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання х-променів
Номер патенту: 104335
Опубліковано: 25.01.2016
Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович
МПК: G06F 17/17, G01T 1/16, G06T 17/30 ...
Мітки: арифметичної, повного, нерівностей, висоті, х-променів, визначення, спосіб, поверхні, кристалу, зовнішнього, середньої, методом, відбивання
Формула / Реферат:
Спосіб визначення середньої арифметичної висоти Ra нерівностей поверхні кристалу методом повного зовнішнього відбивання Х-променів на основі розподілів інтенсивності кривих гойдання (КГ) І(α), які обчислюють шляхом інтерполяції експериментальних КГ Η(α), отриманих в X-променевому дифрактометрі при фіксованих кутах θ повороту кристалу в Q базових точках з координатами (αр, Нр), який відрізняється тим, що точне...
Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбивних електронів
Номер патенту: 100924
Опубліковано: 10.08.2015
Автори: Баловсяк Сергій Васильович, Фодчук Ігор Михайлович, Ткач Василь Миколайович
МПК: G01T 1/16, G06F 17/17, G06T 17/30 ...
Мітки: відбивних, профілів, визначення, спосіб, локальних, основі, деформацій, електронів, розподілу, зворотної, кристалів, інтенсивності
Формула / Реферат:
Спосіб визначення локальних деформацій кристалів на основі профілів розподілу інтенсивності зворотно відбитих електронів, що отримані за методом Кікучі в множині областей кристалу, який полягає в тому, що для кожної області кристалу значення локальної деформації обчислюють через площу під інтерпольованим профілем z(х) смуги Кікучі, отриманої в скануючому електронному мікроскопі від відповідної області досліджуваного кристалу, а значення...