Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Бєляєв Олександр Євгенович
Формула / Реферат
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну мікрохвильову обробку контактної структури Ti-Pd2Si-n+-Si із зовнішнім контактним шаром при частоті 2,45-24 ГГц та емітансом 1,5-7,5 Вт/см2, протягом 1-3 секунд.
Текст
Реферат: + Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n -кремнію включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та + мікрохвильову обробку контактної структури. Попередньо підігрівають пластину n -кремнію до 290-330 °C. Як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну мікрохвильову обробку контактної + структури Ti-Pd2Si-n -Si із зовнішнім контактним шаром при частоті 2,45-24 ГГц та емітансом 2 1,5-7,5 Вт/см , протягом 1-3 секунд. UA 101023 U (12) UA 101023 U UA 101023 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до ненагрівних способів виготовлення омічних контактів металнапівпровідник, що широко використовуються в технології виготовлення надвеликих інтегральних схем, напівпровідниковій мікро- та оптоелектроніці. З переходом мікроелектронних приладів до режимів робіт в діапазоні надвисоких частот їх тривала та коректна робота стає неможливою без створення стабільних омічних контактів метал-напівпровідник з низьким опором. Оскільки омічний контакт є слабкою ланкою, де відбувається сполучення різнорідних матеріалів з відповідними параметрами кристалічної ґратки та коефіцієнтами термічного розширення, яке призводить до виникнення механічних напружень та великої кількості дефектів в області границі розділу, а як наслідок, до деградації контакту та виходу з ладу всього приладу. Відповідно, розробка ненагрівних методів (
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюBieliaiev Oleksandr Yevhenovych, Boltovets Mykola Sylovych, Konakova Raisa Vasylivna, Kudrik Yaroslav Yaroslavovych, Korostynska Tamara Vasylivna
Автори російськоюБеляев Александр Евгениевич, Болтовец Николай Силич, Конакова Раиса Васильевна, Кудрик Ярослав Ярославович, Коростинская Тамара Васильевна
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/314, H01L 21/268
Мітки: виготовлення, n+-кремнію, омічного, контакту, ненагрівний, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-101023-nenagrivnijj-sposib-vigotovlennya-omichnogo-kontaktu-do-n-kremniyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію</a>
Спосіб формування омічного контакту до кремнію
Номер патенту: 78936
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Новицький Сергій Вадимович, Виноградов Анатолій Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічного, спосіб, кремнію, контакту, формування
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/268, H01L 21/00
Мітки: виготовлення, контакту, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Коростинська Тетяна Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268
Мітки: формування, спосіб, омічного, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...
Спосіб виготовлення омічного контакту до gaas
Номер патенту: 84122
Опубліковано: 10.10.2013
Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Швець Євген Якович, Дмитрієв Вадим Сергійович
МПК: H01L 21/28
Мітки: спосіб, контакту, омічного, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування омічних контактів зі сплаву Ag-Ge-In до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2О3-1Н2О, послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, у...
Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м’якої поверхні приладів
Номер патенту: 81588
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Смертенко Петро Семенович, Дімітрієв Олег Петрович, Пуд Олександр Аркадієвич, Огурцов Микола Олександрович
МПК: H01L 21/00, H01L 21/28, H01C 1/00
Мітки: спосіб, омічного, контакту, м'якої, приладів, поверхні, виготовлення, притискного
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...
Попередній патент: Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів
Наступний патент: Спосіб отримання полімерного покриття на сталевому трубопроводі в базових і трасових умовах
Випадковий патент: Комутаційний підсилювач потужності