H01L 21/329 — приладів, що мають один або два електроди, наприклад діодів

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович, Боскін Олег Осипович, Філіпщук Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/31, H01L 29/93 ...

Мітки: змінною, виготовлення, високовольтних, діодів, спосіб, ємністю

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Самойлов Микола Олександрович

МПК: H01L 21/329, H01L 29/872, H01L 21/04, H01L 21/31 ...

Мітки: спосіб, кільцем, діодів, виготовлення, шотткі, охоронним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстов Ігор Анатолійович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна

МПК: H01L 21/04, H01L 21/329, H01L 21/31 ...

Мітки: шотткі, кремнієвих, діодів, кільцем, спосіб, виготовлення, охоронним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Номер патенту: 93186

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Костянтин Олександрович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/04, H01L 21/316 ...

Мітки: кремнієвих, меза-діодів, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих меза-діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеного на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу провідності та...

Номер патенту: 87043

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Фролов Олександр Олександрович, Фролов Костянтин Олександрович, Лубяний Віктор Захарович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/329

Мітки: високовольтних, спосіб, діодів, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, високотемпературне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу...