Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає 3 60700 рафії. В результаті отримані шарі пористого анодного окислу мають вертикальні стінки. Другою відмінністю запропонованого способу є формування охоронного кільця за рахунок бічної дифузії домішки другого типу провідності під шар нітриду кремнію та нейтралізація провідності між активними областями сусідніх кристалів на решті площі, що зайнята домішкою другого типу провідності, за допомогою процесу анодного окислювання шару кремнію з домішками другого типу провідності. Таким чином охоронне кільце формується за рахунок ефекту самосуміщення, що дозволяє отримати прилади з однаковими параметрами та характеристиками. Також відмінністю запропонованого способу є застосування процесу нанесення шару металу в вакуумних установках на структуру, в який шари пористого анодного окислу не видаляються. При такому процесі шари металу на вертикальних стінках пористого анодного окислу розриваються та утворюється окремо шар металу над контактом Шотткі і окремо шар металу над пасивними областями приладу. Тобто металізація контакту Шотткі також відбувається за рахунок ефекту самосуміщення. Таким чином в запропонованому способі виготовлення при використанні тільки одної фотолітографії формується необхідна площа контакту Шотткі, охоронне кільце та металізація контакту Шотткі. Приклад. Для виготовлення діодів Шотткі ви+ користовують кремнієву одношарову n-n епітаксійну структуру з епітаксійним шаром 1 (Фіг.1) з Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 питомим опором  =2,5 Омсм та товщиною h=5 мкм, нанесеним на високолеговану підкладку 2 марки ЭКЭС 0,01. Після первинної хімічної обробки на структуру наносять шар нітриду кремнію 3, товщиною 0,1±0,03 мкм в установках типу «Изотрон» при температурі 690±20°С, проводять першу фотолітографію по нітриду кремнію та дифузію бора при температурі 950°С, для того, щоб одержати дифузійні області 4. Далі проводять процес анодного окислювання (Фіг.2) в киплячому розчині борної або лимонної кислоти при постійної напрузі 60-80 В для одержання шарів пористого анодного окислу 5, які проникають у кремній на глибину 6-8 мкм. Після цього проводять термічне окислювання для одержання щільного якісного захисного шару окислу кремнію 6. Потім проводять селективне видалення шарів нітриду кремнію, що залишилися, в киплячій ортофосфорної кислоті та наносять шар металу 7 в вакуумних установках термічним або термоіонним способом. Таким чином, запропонований спосіб в порівнянні з відомими технічними рішеннями виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем характеризується простотою виконання, зменшеною кількістю технологічних операцій, в тому числі операцій фотолітографії, надійністю одержання бажаних результатів, що приводить до зниження собівартості готового продукту та підвищення зручності при використанні. Все це обумовлює його широке промислове застосування. Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601