Спосіб отримання наноструктур snte:sb p-типу на ситалових підкладках із значною термо-ерс

Реферат: Спосіб отримання наноструктур структур SnTe:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП. Як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини ситалу. UA 102175 U (12) UA 102175 U UA 102175 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Спосіб належить до технології напівпровідникових термоелектричних наноматеріалів і може бути використаний у термоелектричних перетворювачах енергії. Наноматеріали (нанопористі, нанокристали, квантові точки, квантові дроти) мають велику практичну перспективу в області наноелектроніки для розробки нових принципів, а разом із ними надмініатюрних і супероб'ємних систем [Борисенко В.Е. Наноэлектроника - основа информационных систем XXI века // Соросовский образовательный журнал. 1997. № 5. с. 100104]. Для отримання напівпровідникових наноматеріалів використовують методи молекулярнопроменевої епітаксії (molecular-beam epitaxy, MBE), осадження із металоорганічних сполук (metaloorganic vapor phase epitaxy, MOVPE) та інші [Белявский В.И. Физические основы полупроводниковой нанотехнологии // Соросовский образовательный журнал. 1996. № 10. С. 92-98]. Відзначені способи отримання напівпровідникових наноматеріалів вимагають надзвичайно дорогої технологічної апаратури, прецизійної складної системи керування та спеціальних вихідних матеріалів. Найбільш близьким до запропонованої корисної моделі є "Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур на основі n-РbТе:Ві з покращеними термоелектричними властивостями" [Пат. 69952. Україна. Фреїк Д.М., Горічок І.В., Лисюк Ю.В., Галущак М.О.; Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника. - № u 201111340; заявл. 26.09.2011; опубл. 25.05.2012, Бюл. № 10]. Згідно з цим методом вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі випаровування Т В, осадження здійснюють на підкладку при температурі ТП, що забезпечує товщину конденсату d. Недоліком методу є те, що не визначені технологічні фактори отримання конденсату, при яких коефіцієнт термо-е.р.с. є максимальним. Задачею корисної моделі є запропонувати спосіб, який би забезпечував отримання наноструктур, легованого станум телуриду із максимальними значеннями коефіцієнта термое.р.с. Поставлена задача вирішується тим, що у способі отримання напівпровідникових наноструктур, використовують відкрите випаровування у вакуумі із наперед синтезованої сполуки SnTe:Sb з вмістом Sb 1 мол. % при температурі випаровування Т В=(870±10) К, осадження здійснюють на підкладки із ситалу, нагріті до температури ТП=(470±10) К, змінюючи час напилення в діапазоні (60-240) с для отримання конденсату товщиною d=(250-3500) нм. Максимальні значення коефіцієнта термо-е.р.с. спостерігаються при товщинах конденсату SnTe:Sb d(950-1200) нм і складають α(90-95) мкВ/К (креслення). Значне зростання коефіцієнта термо-ЕРС зумовлене завдяки розвиненій і впорядкованій міжзеренні архітектура нанокристалітів конденсату, що є причиною ефективного дроселювання носіїв заряду на потенціальних бар'єрах. Спосіб конкретного виконання Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb р-типу із високою термо-ЕРС здійснюють таким чином. Як наважку використовують наперед синтезовану сполуку SnTe:Sb, яку випаровують у відкритому вакуумі при певній температурі ТВ і при температурі ТП осаджують підкладку із ситалу протягом певного часу, що забезпечує задану товщину (d) конденсату. Для наноструктури SnTe:Sb вміст Sb складає 1 мол. %, температура випаровування ТВ=(870±10) К, температура підкладки Т П=(470±10)К, час напилення τ=(60-240) с, а їх товщина становить d=(250-3500) нм. На кресленні показана залежність коефіцієнта термо-е.р.с. α наноструктур SnTe:Sb від їх товщини d при температурі вимірювання 300 К. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 50 55 1. Спосіб отримання наноструктур структур SnTe:Sb р-типу на ситалових підкладках із значною термо-ЕРС, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують при температурі випарника ΤВ і осаджують на підкладку при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат.% Sb, а як підкладки використовують пластини ситалу. 2. Спосіб за п. 1 який відрізняється тим, що максимальне значення коефіцієнта термо-ЕРС становить (90-95) мкВ/К, має конденсат товщиною d(950-1200) нм. 1 UA 102175 U Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2