Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю
Номер патенту: 46030
Опубліковано: 10.12.2009
Автори: Чав'як Іван Ігорович, Ліщинський Ігор Мирославович, Бачук Василь Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що температура випарника ТВ=(700±10)°С, температура підкладки - ТП=(50-300)°С, час осадження t=(15÷30) хв.
Текст
1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкри 3 46030 сті наважки використовують синтезовану сполуку РbТе, яку випаровують при певній температурі ТВ, а при температурі ТП осаджують на попередньо окислену діелектричну підкладку монокристалів кремнію SiО2-Si протягом певного часу t. Саму підкладку розміщують у верхній частині вакуумної камери. Температура випарорвування складає ТВ=(700±10)°С, а температуру осадження (підкладки) варіюють у межах ТП=(50-300)° С, час осадження (час експозиції) становить (15-30) хв. Температури випарника, осадження, а також час експозиції визначають процеси зародження, ріст і формування нанокристалічних структур. Наноструктури у вигляді окремих стовпчатих утворень Комп’ютерна верстка А. Крижанівський 4 (Фіг.1) - квантово-розмірних точок, - статистично рівномірно розміщені на поверхні із невеликою дисперсією за розмірами: висотою (Фіг.2) і діаметром (Фіг.3). Перелік фігур креслення. Фіг.1. Зображення на атомно-силовому мікроскопі (АСМ) топології поверхні нанокристалічних структур РbТе, отриманих на попередньо окислених кремнієвих підкладках кремнію SiО2-Si. Фіг.2. Діаграма розподілу за висотою квантоворозмірних структур телуриду свинцю. Фіг.3. Діаграма розподілу за лінійними розмірами по азимуту квантово-розмірних структур телуриду свинцю. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for obtaining quantum-dimensional structures of lead telluride
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Lischynskyi Ihor Myroslavovych, Nykyrui Rostyslav Ivanovych, Chaviak Ivan Ihorovych, Bachuk Vasyl Vasyliovych
Назва патенту російськоюСпособ получения квантово-размерных структур теллурида свинца
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Лищинский Игорь Мирославович, Никируй Ростислав Иванович, Чавьяк Иван Игоревич, Бачук Василий Васильевич
МПК / Мітки
МПК: B82B 1/00, H01F 41/00
Мітки: телуриду, квантово-розмірних, структур, спосіб, отримання, свинцю
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-46030-sposib-otrimannya-kvantovo-rozmirnikh-struktur-teluridu-svincyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю</a>
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю – телуриду тербію
Номер патенту: 43163
Опубліковано: 15.11.2001
Автори: Нижникевич Володимир Всеволодович, Михайльонка Руслан Ярославович, Матеїк Галина Дмитрівна, Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C22C 1/00, C22C 32/00, C30B 1/00, C22C 5/00
Мітки: спосіб, свинцю, отримання, сплавів, термоелектричних, тербію, телуриду
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю - телуриду тербію, який полягає у тому, що вихідну речовину, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних елементів, ампулу з вихідними елементами витримують при цій температурі, після чого охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують елементи тербію (Тb)...
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності
Номер патенту: 30706
Опубліковано: 11.03.2008
Автор: Борик Віктор Васильович
МПК: C21D 1/00
Мітки: термоелектричних, n-типу, сплавів, спосіб, провідності, свинцю, телуриду, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричних сплавів телуриду свинцю n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини...
Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу
Номер патенту: 40443
Опубліковано: 10.04.2009
Автор: Борик Віктор Васильович
МПК: C22C 11/00
Мітки: спосіб, свинцю, телуриду, отримання, n-типу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні...
Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу
Номер патенту: 30390
Опубліковано: 25.02.2008
Автори: Борик Віктор Васильович, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: H01L 21/00, C01B 19/00
Мітки: телуриду, отримання, n-типу, основі, термоелектричних, сплавів, спосіб, свинцю, оптимізованих
Формула / Реферат:
Спосіб отримання оптимізованих термоелектричних сплавів на основі телуриду свинцю n-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють...
Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю p-типу
Номер патенту: 39125
Опубліковано: 10.02.2009
Автори: Борик Віктор Васильович, Данилишин Мирослава Олегівна, Дикун Наталія Іванівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: сплаву, спосіб, телуриду, свинцю, отримання, p-типу, термоелектричного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання термоелектричного сплаву телуриду свинцю р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій печі, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу з вихідними речовинами витримують при цій температурі, після чого ампулу охолоджують, одержані злитки дроблять та здійснюють гаряче пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують свинець,...
Попередній патент: Спосіб прижиттєвого забору клітин кісткового мозку щурів із стегнової кістки
Наступний патент: Спосіб формування та термічного з’єднання скла
Випадковий патент: Спосіб одержання нанокомпозита з антифунгальними властивостями на основі срібла, міді та кремнезему