Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів

Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері з температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник з наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують аморфну підкладку, на якій формуються розорієнтовані нанокристалічні структури. (19) (21) u200809335 (22) 17.07.2008 (24) 10.02.2009 (46) 10.02.2009, Бюл.№ 3, 2009 р. (72) ФРЕЇК ДМИТРО МИ ХАЙЛОВИЧ, UA, БОРИК ВІКТОР ВАСИЛЬОВИЧ, UA, ДЗУНДЗА БОГДАН СТЕПАНОВИЧ, U A, НИКИРУЙ РОСТИСЛАВ ІВАНОВИЧ, UA (73) ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА, U A 3 39122 ближена до насичення (точка роси) будуть формуватися на підкладці окремі дрібнодисперсні структури, які довільним чином будуть орієнтуватись відносно підкладки і між собою. Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів здійснюють таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою матеріалу, а аморфну підкладку розміщують вздовж стінок камери. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Приклад конкретного використання На Фіг.1 зображена схема камери отримання наноматеріалів з газодинамічного потоку пари. На Фіг.2 розподіл температури вздовж її стінок. Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів здійснюється таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками (2), у нижній частині Комп’ютерна в ерстка О. Рябко 4 якої знаходиться випарник для наважки напівпровідникового матеріалу (1), а аморфну підкладку поліамідну стрічку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери (3). Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Градієнт температури вздовж стінок камери створює напрямлений газодинамічний потік пари із розподіленими параметрами: швидкістю, густиною, температурою, пересиченням. При цьому на деякій ділянці ампули від початкового перерізу х=0 до критичного х=хкр пара не буде конденсуватися. Значенню хкр відповідає критична температура Ткр. В області, близькій до хкр, із потоку пари, що наближена до насичення (точка роси) будуть формуватися на підкладці окремі дрібнодисперсні структури (4). Аморфні підкладки і температура осадження визначають процеси зародження, ріст і розорієнтацію нанокристалічних структур. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601