Спосіб отримання нанокристалів aivbvi на скляних підкладках

Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі. (19) (21) u200809362 (22) 17.07.2008 (24) 10.02.2009 (46) 10.02.2009, Бюл.№ 3, 2009 р. (72) ФРЕЇК ДМИТРО МИ ХАЙЛОВИЧ, UA, БОРИК ВІКТОР ВАСИЛЬОВИЧ, UA, ДЗУНДЗА БОГДАН СТЕПАНОВИЧ, U A, НИКИРУЙ РОСТИСЛАВ ІВАНОВИЧ, UA (73) ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА, U A 3 39127 структури, які довільним чином будуть орієнтуватись відносно підкладки і між собою. Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів здійснюють таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою матеріалу, а скляну підкладку розміщують у вер хній частині камери при певній температурі. Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. На фігурі 1 зображена схема камери отримання наноматеріалів з газодинамічного потоку пари (а) і розподіл температури вздовж її стінок (б). Спосіб отримання наноструктурних напівпровідникових матеріалів здійснюється таким чином. Використовують циліндричну камеру із температурно-градієнтними стінками (2), у нижній частині якої знаходиться випарник для наважки напівпровідникового матеріалу (1), а скляну підкладку розміщують у верхній частині камери (3) при пев 4 ній температурі (Тп). Всю систему поміщають у вакуумну установку і здійснюють технологічний процес. Градієнт температури вздовж стінок камери створює напрямлений газодинамічний потік пари із розподіленими параметрами: швидкістю, густиною, температурою, пересиченням. При цьому на деякій ділянці ампули від початкового перерізу х = 0 до критичного х = хкр пара не буде конденсуватися. Значенню хкр відповідає критична температура Ткр. В області, близькій до хкр, із потоку пари, що наближена до насичення (точка роси) будуть формуватися на підкладці окремі дрібнодисперсні структури (4). Скляні підкладки і температура осадження визначають процеси зародження, ріст і розорієнтацію нанокристалічних структур. На підкладках формуються пластинчасті нанокристали, орієнтовані площинами {100} паралельно до поверхні підкладки і розорієнтовані по азимуту (фігура 2). 5 Комп’ютерна в ерстка Л.Литв иненко 39127 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601