Спосіб отримання наноструктурованого pbte на поліаміді

Номер патенту: 54832

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Ігор Костянтинович, Харун Лідія Тарасівна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C23C 14/24

Мітки: телуриду, наноструктурованого, спосіб, підкладках, свинцю, отримання, ксі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....

Номер патенту: 46030

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Чав'як Іван Ігорович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович, Ліщинський Ігор Мирославович

МПК: H01F 41/00, B82B 1/00

Мітки: структур, телуриду, свинцю, отримання, спосіб, квантово-розмірних

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...

Номер патенту: 56447

Опубліковано: 15.05.2003

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Рувінський Борис Маркович, Калитчук Іван Васильович, Довгий Олег Ярославович, Галущак Мар'ян Олексійович

МПК: C30B 11/02

Мітки: плівок, p-pbte, тонких, анізотропією, отримання, високою, термо-е.р.с, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання тонких плівок р-РbТе з високою анізотропією термо-е.р.с. методом гарячої стінки на відколах монокристалів (111) ВаF2 , що здійснюють шляхом вибору вихідної речовини РbТе, нагріву підкладки до температури Тп, випаровування вихідної речовини при Тв, нагрівання стінок камери до Тс, при парціальному тиску пари телуру РTe2, який відрізняється тим, що температура випарника Тв = 820 К, стінок реактора Тс = 850 К, підкладок - Тп =...

Номер патенту: 50087

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Дикун Наталя Іванівна, Шевчук Мирослава Олегівна, Дзумедзей Роман Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: термоелектричного, p-pbte, спосіб, отримання, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб отримання термоелектричного матеріалу р-РbТе, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 19994

Опубліковано: 15.01.2007

Автори: Матеїк Галина Дмитрівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, легованого, p-типу, вісмутом, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованого вісмутом РbТе n- і р-типу, який полягає в тому, що вихідні речовини Рb і Те розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідних речовин, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідних речовин, ампулу з вихідними речовинами витримують у першій зоні до отримання розплаву і переміщують у другу зону до...