Гринь Леонід Олексійович
Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації
Номер патенту: 115514
Опубліковано: 10.11.2017
Автори: Баранов В'ячеслав Валерійович, Танько Аліна Вікторівна, Гринь Леонід Олексійович, Романенко Андрій Олександрович, Ніжанковський Сергій Вікторович
МПК: C30B 11/14, C30B 29/20, C30B 11/02 ...
Мітки: вирощування, горизонтально, спрямовано, кристалізації, оксидів, методом, монокристалів, тугоплавких, пристрій
Формула / Реферат:
Пристрій для вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, який складається з вакуумної камери з тепловим вузлом, що містить систему багатошарових внутрішніх та зовнішніх екранів, які оточують нагрівальний елемент та утворюють приймальну і вихідну частини тунелю, волокуші з механізмом переміщення та контейнером для вихідної сировини, струмовводів і нагрівального елемента з петлеподібно...
Пристрій для свердління отворів в кристалічних заготовках, зокрема монокристалів корунду
Номер патенту: 115619
Опубліковано: 25.04.2017
Автори: Гринь Леонід Олексійович, Вовк Олена Олександрівна, Будніков Олександр Тимофійович, Кривоногов Сергій Іванович, Каніщев Василь Миколайович
МПК: B23B 51/04, B23B 41/00, B28D 5/00 ...
Мітки: кристалічних, свердління, отворів, пристрій, заготовках, зокрема, монокристалів, корунду
Формула / Реферат:
Пристрій для свердління кристалічних заготовок, зокрема корунду, який містить тримач і закріплений на ньому тонкостінний порожнистий робочий інструмент, який відрізняється тим, що робочий інструмент складається з фрагментів, вирізаних з алмазного відрізного круга вздовж його радіуса, причому алмазовмісна крайка фрагментів обернена в сторону деталі, що обробляється.
Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації
Номер патенту: 114121
Опубліковано: 25.04.2017
Автори: Романенко Андрій Олександрович, Баранов В'ячеслав Валерійович, Танько Аліна Вікторівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович
МПК: C30B 11/14, C30B 29/20, C30B 11/02 ...
Мітки: кристалізації, спосіб, методом, оксидів, тугоплавких, горизонтально, спрямовано, монокристалів, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів методом горизонтальної спрямованої кристалізації, що включає створення у вакуумній камері з тепловим вузлом, за допомогою нагрівального елемента температурного поля, симетричного вздовж осі росту по ширині кристалу, розплавлення в цьому полі вихідного матеріалу, поміщеного в контейнер, формування кристалу шляхом переміщення контейнера з розплавленою шихтою в градієнтному температурному...
Спосіб кріплення пластинчатих кристалічних заготовок, зокрема корунду
Номер патенту: 114902
Опубліковано: 27.03.2017
Автори: Каніщев Василь Миколайович, Будніков Олександр Тимофійович, Гринь Леонід Олексійович, Кривоногов Сергій Іванович, Вовк Олена Олександрівна
МПК: C30B 29/00, B65H 9/00
Мітки: зокрема, пластинчатих, заготовок, спосіб, корунду, кріплення, кристалічних
Формула / Реферат:
Спосіб кріплення пластинчастих кристалічних заготовок, зокрема корунду, що включає підготовку пластинчастої кристалічної заготовки механічною обробкою поверхні, закріплення заготовки обробленою поверхнею на металевій планшайбі приклеюванням смоляною композицією, який відрізняється тим, що між кристалічною заготовкою і планшайбою додатково розміщують буферну пластину у формі планшайби, виконану з матеріалу, ідентичного матеріалу заготовки,...
Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію
Номер патенту: 86876
Опубліковано: 25.05.2009
Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Гринь Леонід Олексійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мірошников Юрій Петрович, Ніжанковський Сергій Вікторович
МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 13/00 ...
Мітки: монокристалів, алюмінію, спосіб, оксиду, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...