Спосіб одержання автоепітаксіальних шарів кремнію

ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ^ 1 л СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„SU,,, 1281083 -* *"~ %* А1 (5D 4 _ 01. L 21/265 Н ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3905076/31-25 (22) 15.04.85 (71) Институт полупроводников АН УССР (/2) В.Г. Литовченко, Б.Н. Рома шик. Р.И. Марченко, ГЛ. Жолудев, . В.И. Думбров и В,П. Шаповалов (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 849924, кл. Н 01 L 21/205, 1980. (54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АВТОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ, включающий формирование на рабочей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки под ложки, удаление маски, эпитакснальное наращивание, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерирующих областей в рабочие участки автоэпитакснальных слоев, имплантацию осуществляют ионами аргона с энергией 50-80 кэВ и дозой (О,5-5)'1О11 см"2 , а после удаления маски подложки подвергают термообработке при температуре 600-800°С в течение 5-40 мин. С/) С N3 00 © с» 1 1281083 Изобретение относится к полупроального наращивания УНЭС-2НКЛ. Газоводниковой электронике, в частности, фазное эпитакснальное нар.-эгцивание к технологии микроэлектроники и молегированных фосфором слоев монокрисжет быть использовано в производстве таллического кремния n-типа с уделькремниевых интегральных схем и приным сопротивлением 0 , 24 0м • см, тол; боров. щиной 5,3-5,6 мкм осуществляют при двухстадийном температурном режиме. Целью изобретения является улучшеСначала повышение температуры до ние качества автоэпитаксиальных сло700°С и выдержка 10 мин для формироев кремния за счет подавления процесвания геттерной области с неподвижса распространения дефектов из гетте- '0 ными диспорационными образованиями, рирующих областей в рабочие участки после чего - повышение температуры автоэпитаксиальных слоев. до 1180+10°С и выдержка 15 мин, для П р и м е р . Для получения автоочистки поверхности подложки перед зпитаксиальных структур используются процессом эпитаксии. Затем наращиподложки монокристаллического кремвают эпитаксиальные слои из смеси ния р-типа с удельным сопротивлением тетрахлорида кремния, водорода и фос10 Ом'см , ориентации (III), диаметфина. Обработка поверхности подлором 75 мм и толщиной 380 мкм, шлижек хлористым водородом непосредфованные, полированные и химически обработанные по стандартной техноло- 20 ственно в реакторе перед процессом эпитаксии не производится. гии. Эти подложки с рабочей стороны покрывают пленкой фоторезиста и Результаты, полученные при реалиэкспонируют по заданному топологичесзации способа сведены в таблицу. кому рисунку. Фоторезист задубливают и удаляют в непроэкспонированных Использование данного способа изучастках и после этого всю рабочую готовления автоэпитаксиальных слоев поверхность подложки подвергают кремния позволяет снизить дефектность имплантации ионами аргона на установавтоэпитаксиальных слоев кремния, ке "Везувий-3" в диапазонах энергий уменьшить механические напряжения на 30-80 кэВ и доз 10 1 3 -10 1 6 см"2 . Затем границах геттерной и рабочих обласмаскирующий фоторезист удаляют, подтей подложки, что уменьшает эффект ложки химически обрабатывают без израстекания дефектов, сохранить дейменения состояния поверхности и помествие геттера на протяжении цикла щают в реактор установки эпитаксиизготовления интегральных схем. Для энергии ионов аргона 30, 50 и 80 кэВ Доза ионов аргона, см*2 Плотность дислокаций в эпитаксиальном слое,см 10 Неимплантированная область 10 Имплантированная область Редактор Н.Коляда Заказ 1501/ДСП Ш 14 1014 5-1014 Нет МО 5 Нет 5 10s 8-Ю6 Составитель В.Гришин Техред В.Кадар 5 • 10 е 10* Юїб 10* 8'Ю" 10 4 2 - Ю 7 5-10* Корректор А.Обручар Тираж 448 Подписное ВНИКЛИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, h