Думбров Володимир Іванович

Номер патенту: 19241

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Количєв Валєрій Пєтровіч, Тронь Олександр Степанович, Катаєв Ростік Смайловіч, Гіоєв Едуард Васільєвіч, Бублік Аркадій Аркадієвіч, Кузьмінов Віктор Миколайович, Кокоєв Анатолій Ніколаєвіч, Шевченко Сергій Васильович, Лопата Олександр Трохимович, Думбров Володимир Іванович, Неклюдов Іван Матвійович, Андрєєв Олєг Семьоновіч

МПК: C22C 9/04

Мітки: основі, міді, сплав

Формула / Реферат:

Сплав на основе меди, содержащий железо и никель, отличающийся тем, что он дополнительно содержит один или более металлов, выбранных из группы, содержащей скандий, иттрий, гольмий, эрбий, неодим и празеодим, при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Номер патенту: 7373

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Рудський Ігор Володимирович, Думбров Володимир Іванович, Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Москаль Денис Миколайович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01L 21/322

Мітки: кремнійових, внутрішнього, спосіб, геттерування, пластинах

Формула / Реферат:

Способ внутреннего геттерирования в кремни­евых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухста­дийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения эффектив­ности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечи­вающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Думбров Володимир Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Литовченко Володимир Григорович, Шаповалов Віталій Павлович, Марченко Ростислав Іванович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/265

Мітки: шарів, одержання, автоепітаксіальних, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...