Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающий наплавление исходного сырья в тигель, выравнивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, отличающийся тем, что предварительно исходное сырье нагревают до температуры 450°-500°С, затем сырье нагревают до Тпл + (30-40)°С (где Тпл - температура плавления исходного сырья) при давлении в пределах 3,0-7,0 Па, выращивание осуществляют в атмосфере инертного газа при давлении (1,0-1,5) 105Па, а отжиг проводят вначале в инертной атмосфере при давлении (1,0-1,5)· 105 Па и температуре 750-870°С, а затем в кислородсодержащей атмосфере при температуре 200-300°С.

Текст

Изобретение относится к области получения сцинтилляторов, используемых для спектрометрии высокоэнергетических излучений, в том числе в электромагнитных калориметрах. Применение сцинтилляционных материалов в качестве детекторов полного поглощения в электромагнитных калориметрах (ЕМ-калориметрах) предъявляет к ним требования: высокую плотность, малую радиационную длину (поскольку для этих целей используют детекторы 20 и более радиационных длин), малое время высвечивания (до 20 не), высокое спектрометрическое качество (что обеспечивается оптической однородностью и прозрачностью к собственному излучению). Кроме того, спектр излучения сцинтиллятора должен согласовываться со спектральною чувствительностью фотоприемника. Известен способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца (PbWO4) [1], включающий наплавление исходного сырья в платиновый тигель, введение в расплав ниобия в количестве 110-3 - 2 · 10-2мас.% и выращивание вытягиванием на затравку в атмосфере по составу, близкой к воздуху, с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере в течение 68 часов (для монокристаллической були с размерами Æ 32x220 мм) и охлаждением до комнатной температуры. Данный способ обеспечивает получение длинномерных монокристаллов (Æ 32x250 мм), оптически однородных с величиной светового выхода 40-45 Phe/MeV. Оптическая однородность и высокая прозрачность достигается, по мнению авторов, введением ниобия, так как в монокристаллах, выращенных авторами без ниобия, наблюдалось уменьшение прозрачности по длине от затравки книзу монокристалла. Авторы связывают это с накоплением вакансий вольфрама и образованием центров окраски трехвалентного свинца (Рb 3+ в процессе роста. В результате проведенных нами экспериментов по выращиванию сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца в соответствии с данным способом в кислородсодержащей (неразряженной) атмосфере были получены достаточно однородные монокристаллы с люминесценцией в области 430-440 нм. На основании этого можно предположить, что интенсивное испарение вольфрама, по всей вероятности, связано с разряженной атмосферой, пониженным давлением ("атмосфера по составу близка к воздуху") выращивания, необходимой для создания вакансий кислорода, входящи х в центр свечения типа WО3 + F+ (F+ - вакансия кислорода + электрон), ответственных за люминесценцию в области 470-500 нм. Введение же пятивалентного ниобия (Nb 5+) стабилизирует образование центров окраски Рb3+, но при этом смещает спектр люминесценции с 450 нм для монокристаллов без примеси ниобия, до 420 нм для монокристаллов с примесью ниобия. Таким образом, не достигается цель: получения монокристаллов со свечением в области 470-500 нм. На основании изложенного и учитывая тот факт, что авторы не описывают способ получения расплава, можно предположить, что расплав предварительно не обрабатывался с целью создания кислородных вакансий. В основу изобретения поставлена задача разработки способа получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца с размерами, пригодными для их использования в электромагнитных калориметрах, с высокой прозрачностью и световым выходом, однородными по длине монокристалла, со спектром люминесценции в области 470-500 нм. Решение задачи достигается тем, что в способе получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца, включающем наплавление исходного сырья в тигель, выращивание вытягиванием на затравку с последующим отжигом в кислородсодержащей атмосфере и охлаждением до комнатной температуры, согласно изобретению, исходное сырья предварительно нагревают до температуры (450500)°С, затем температуру повышают до Т пл + (30-40)°С, где Тпл - температура плавления сырья, при этом давление поддерживают в пределах (3,0-7,0) Па, выращивание осуществляют в атмосфере инертного газа при давлении (1,0-1,5)· 105 Па, а отжиг проводят вначале в инертной атмосфере при давлении (1,0-1,5) · 105 Па и температуре (750-870)°С, а затем в кислородсодержащей атмосфере при температуре 200-300°С. При термообработке исходного сырья и расплава в разряженной (с пониженным давлением) атмосфере обеспечивается создание вакансий кислорода в расплаве, входя щи х в центр люминесценции, ответственный за полосу свечения 470-500 нм. На первом этапе термообработки 450-500°С происходит обезгаживание исходного сырья, на втором этапе при температуре Тпл + (30-40)°С выделяется кислород с образованием вакансий. При термообработке при температуре менее 450°С или давлении более 7,0 Па обезгаживание исходного сырья происходит в недостаточной мере. При термообработке при температуре более 500°С или давлении менее 3,0 Па наблюдается интенсивное испарение исходного сырья. При высокотемпературной обработке расплава нижний температурный предел соответствует необходимой активационной энергии создания вакансий кислорода. Отжиг при температуре менее Тпл + 30°С и давлении более 7,0 Па не обеспечивает условий для создания вакансий кислорода, входящи х в центр свечения с l= 470-500 нм. При температуре более Тпл + 40°С и давлении менее 3.0 Па наблюдается значительное испарение расплава и частичная его расстехиометризация. Выбор атмосферы выращивания и I этапа отжига определялся поставленными перед нами целями: получения монокристаллов с максимумом спектра люминесценции в области l= 470-500 нм, высокими прозрачностью и световым выходом и однородными по длине кристаллической були. В связи с этим, была выбрана инертная атмосфера с давлением (1-1,5)· 105 Па, поскольку в такой среде выращивания не происходит залечивание вакансий кислорода, созданных на этапе обработки исходного сырья и расплава, что обеспечивает свечение кристалла с максимумом 470-500 нм. Кроме того, давление инертного газа (1,0-1,5)· 105Па препятствует испарению и расстехиометризации расплава, что обеспечивает условия получения кристаллов, однородных по прозрачности и световыходу вдоль всей длины. При давлении менее 1,0-105 Па наблюдается испарение и расстехиометризация расплава, при давлении более 1,5 105 Па рост монокристалла затруднителен. Проведенные эксперименты по выращиванию в кислородсодержащей (воздух) и инертной среде показали, что монокристаллы, выращенные на воздухе, имеют желтоватую окраску, связанную с полосой поглощения в области 430 нм (за которую отвечают центры окраски Pb 3+). Монокристаллы, выращенные в инертной атмосфере, прозрачны и бесцветны с пропусканием в области 430 нм ~70%, что объясняется условиями инертной среды, препятствующей образованию центров окраски типа Рb. В процессе выращивания, особенно длинномерных (более 20 см) монокристаллов вольфрамата свинца в монокристаллической буле возникают термоупругие напряжения, снятие которых осуществляется путем дополнительного отжига. При этом необходимо сохранить люминесцентные и оптические свойства монокристаллов, достигнутые в процессе обработки расплава и роста. В связи с этим первый этап отжига осуществлялся, как было указано выше, в инертной среде при температуре 750-870°С. Отжиг монокристаллов при температуре 750°С не позволяет снять термические напряжения, монокристаллы остаются очень хрупкими. Отжиг при температуре более 870°С ухудшает прозрачность монокристалла, так как при этом возможен фазовый переход. Низкотемпературный отжиг в кислородсодержащей атмосфере на втором этапе позволяет улучшить прозрачность монокристалла к собственному излучению, не изменяя положения максимума люминесценции. При этом залечиваются вакансии кислорода, входящие в центры окраски и захвата, но не разрушаются центры люминесценции с вакансией кислорода, высвечивающие с l= 470-500 нм. При уменьшении температуры отжига менее 200°С световой выход монокристалла не увеличивается. При температуре более 300°С прозрачность монокристалла ухудшается за счет образования центров окраски типа Рb3+ и спектр люминесценции смещается в коротковолновую область. Πример. В платиновый тигель размером Æ100x100 мм 3 засыпают исходное сырье - шихту PbWO 4 в количестве 4300 г. Затем тигель с исходным сырьем помещают в ростовую печь, в которой создают разряженную атмосферу с давлением 5 Па. Исходное сырье нагревают до температуры 470°С и выдерживают в течение 1 часа, затем повышают температуру до 1160°С и выдерживают 25 мин. Выращивание монокристалла осуществляют в атмосфере аргона при давлении 1,5·105 Па. Отжиг полученного монокристалла проводят в два этапа в той же ростовой камере. На первом этапе в атмосфере аргона при давлении 1,5 Ί0 Па монокристалл нагревают до температуры 770°С и выдерживают в течение 15 часов. На втором этапе отжиг проводят на воздухе при температуре 220°С в течение 12 часов. После этого монокристалл охлаждают до комнатной температуры. Полученный монокристалл Æ 32x250мм был бесцветен, прозрачен, однороден по всей длине без видимых включений. Из него был вырезан сцинтилляционный элемент в форме параллелепипеда с размерами 20x20x220 мм 3. Все поверхности были полированы. Световой выход сцинтилляционного элемента составил 16 phe/Mev. Примеры при других значениях параметров приведены в таблице. Как следует из таблицы, только в пределах заявляемых параметров обеспечивается решение поставленной задачи (примеры 2-4).

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for obtaining of scintillation monocrystals of lead tungsten

Автори англійською

Nahorna Liudmyla Lavrentiivna, Vostetsov Yurii Yakovych, Martynov Valerii Pavlovych, Burachas Stanislav Feliksovych, Ryzhykov Volodymyr Diomydovych, Tupitsyna Iryna Arkadiivna

Назва патенту російською

Способ получения сцинтиляционных монокристаллов вольфрама свинца

Автори російською

Нагорная Людмила Лаврентьевна, Востецов Юрий Якович, Мартынов Валерий Павлович, Бурачас Станислав Феликсович, Рыжиков Владимир Диомидович, Тупицина Ирина Аркадиевна

МПК / Мітки

МПК: C30B 15/00

Мітки: одержання, вольфраму, сцинтиляційних, монокристалів, спосіб, свинцю

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-19641-sposib-oderzhannya-scintilyacijjnikh-monokristaliv-volframu-svincyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб одержання сцинтиляційних монокристалів вольфраму свинцю</a>

Подібні патенти