Спосіб створення захисту поверхні інтегральної схеми з алюмінієвою металізацією

ЛЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИ СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК! „,SU,,,, 1597043 А1 (5П5 Н 01 Ь 23/^8 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ' . 1 • • , • . " / . • • (21) ^299998/24-21 . (22) 25.08.87 . (72) С.П.Новосядлый, Н.Л.Гнып .\ и Я.М.Вилоган (53.) 621.387(088.8) . . . " . " (56) Котин Л.А., Омарев Б.Ш. и Теверовский А.А. Применение полуизолирующих пленок для защиты кристаллов ИС, герметизированных пластмассой. - "Электронная промышленность", 1986, вып. 8 (156), с, 535 б , : • • . \ . . . - . •• • ••• • • (5*0 СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЗАПИТЫ ПОВЕРХНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ' С АЛЮМИНИЕВОМ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для повышения коррозионной с т о й кости алюминиевой металлизации и н тегральных схем. Целью изобретения является повышение выхода годных и надежности интегральных схем (ИС) • После формирования с т р у к т у р кристалла и алюминиевой металлизации форми руют трехслойную защиту ИС: оксид алюминия Al^Oj - форсфоросиликатное • стекло (ФСС) - нитрид кремния S i 3 N 4 . Нижний слой защиты А 1 г 0 3 исключает электромиграцию и механические напряжения в пленке. Он создается толщиной 0,1-0,3 мкм анодированием металлизации (контактные площадки защищены фоторезистом) в горячей деиониэованной воде. Второй слой защиты ФСС служит для стабилизации зарядового состояния структур, создается толщиной 0,^-0,6 мкм низкотемпературным разложением моносилана в атмосфере кислорода, легирование фосфора (2-А мае.%) осуществляется путе* введения в процессе осаждения фосфина. Третий слой защиты повышает влагостойкость И и стабилизирует С заряды состояния на поверхности прибора. Пленку S i 3 N 4 формируют толщиной АОП-800 А и легируют ее фосфором в пределах 0,03~0»3 мас.ї высокочастотным катодным реактивным распылением кремния в атмосфере азота. (Л ел со *л о 00 Изобретение относится к микррз л е к т р о н и к е и может быть использова но для повышения коррозионной с т о й кости алюминиевой металлизации и н тегральных с х е м . Целью изобретения является повышение выхода годных и надежности интегральной схемы. Споссб создания защиты поверхности интегральных схем заключается в последовательном формировании сло 36-90 . 1& р-- ев алюмосиликата, фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Пример реализации способа. Способ реализовали при изготовлении структур диаметром 102 мм для производства микросхем с. 56*» по следующему маршруту. После создания токоведущих шин и контактов металлизации А1 толщиной 1 t 2 t 0 , 2 мкм производили формирование фотомаски с фоторезистора