Спосіб отримання тонких ванадієвих плівок термічним резистивним нагрівом

Завантажити PDF файл.

Текст

є МІЖ ; HOI37 / 16 C23CU / 26 Спосіб отримання тонких ванадієвих плівок термічним резистившм нагрівом. Винахід відноситься до технології отримання тонких плівок тугоплавких металів, які можуть використовуватися в мікро* електроніці для створення елементів Інтегральних схем* Шдомо,що для отримання ПЛІВОК1/( ванадію ) застосовують _ЄЛЄ_КТрОг> тодиудугового та електронно-променевого розігріву ( Техноло • гия тонких пленок. T.I, Справочник под рвд» Л.Майселла,Р.Глэн» га.пер. с англ. М,: Сов. радио * - 1977, * С. 59» 71,» Однак ці методи мають слідуючі недоліки* Оскільки складно керувати режимами електричної дуги та швидкістю випаровування ванадію (V j »a також ма-е місце невеликий діапазон зміни швидкостей випаровування,ТО Існує Імовірність забруднення конденсатів матеріалами конструкцій. Це не дозволяв отримувати висок очи сті тонкі плівки Y^ • Найбільш близьким до запропонованого способу в спосіб отри» мання тонких плівок термічним резистйвним нагрівом,згідно яко* го розташовують навашку з випаровуваного матеріалу на дротяно3* вольфрамовому випарнику І осаджують плівки в вакуумі на діелектричних підкладках при заданих режимах ( Технология тонких пленок. Т.І* Справочник под ред. Л, майселла,Р. Глэнга. Пер . с англ. Я,: иов. радио » - ІУ7У. - О. 4y- Vl ). Однак ,цеі спосіб не дозволяв отримувати високочисті тонкі ванадієві плі вки. В основу винаходу поставлено завдання - створення способу отримання ТОНКЯА ванадієвих плівок термічним резистивним нагрівом,в якому підбір технолог! ЧНИА режимі в ,ж бір конструкції *' 2 m випарника дозволили б отримати високочисті тонкі плівки у з керованими параметрами ( П » у>й )• Поставлене завдання вирішується тим.що в способі отримання тон* ких ванадієвих плівок термічним резистивним нагрівом»згідно якого розташовують наважку з випаровуваного матеріалу на дротяному вольфрамовому випарнику І осаджують плівки у вакуумі на дівлек * тричішх підкладках при заданих режимах, з г і д н о ходу, в и н а * як наважку вибирають ванадієву стрічку.яку спірально намотують на робочу частину вольфрамового випарника Sl~ подїб • ноі конфігурації ,а проміжок між випарником І намоткою заповнюють двома І більше ванадієвими стрічками,при цьому температуру випар-* нику задають в межах 1850 - 20S0 °С» температуру підкладки * ЗЬО - *Ю0 °С ,а глибина вакууму складав 9,3« І О" 5 Па, запропонована конструкція випарника дозволяв проводити процес випаровування при температурах 1850 - 20Ь0 °С»розміщення наваж* ки » ванадієвої стрічки по всі* довжині робочої частини вольфра* у О/ тервалі температур І швидкосте* випарру:вання ♦ Крім цього.випаровувана речовина рівномірно розподіляється вздовж поверхні випаровування, чим забезпечується рівномірність товщини плівкиі с Вказана глибина вакууму І температура підкладки ( р ж У,3»І0 На , Т 0 * Зї*> 4t>0 ° С j забезпечують високу чистоту І дозволяє ють оптимізувати структурні параметри плівок,осаджених на ситалі» Випаровувальна система дозволяє візуалізуватя етапи процесу * початок плавлення V І його випаровування»що підсилює керованість процесу. Спосіб отримання тонких ванадієшх плівок термічним резистивним нагрівом здійснюють шляхом розташування наважки у вигляді ванадієвої стрічки на дротяному вольфрамовому шпарнику,при мового випарника S1 - подібної конфігурації запобігає його швидкому руйнуванню 1 дозволяє експлуатувати його в широкому Ін~ ~ зника S2. --подібної конфігурації ,а проміжок мі к випарником І на моткою заповнюють двома І більш* ванадієвими стрічками,при цьому температуру запарнику задають в межах І8ЬО • £050 °С,дІелектрйЧ* ній підкладці - ЗЬСМОО °С,а глибина вакууму складає 9,3*ІСГ 5Па, І осаджують тонкі плівки ванадію. Приклад конкретного виконання, Для отримання плівок використовували як базову установку УВН 2М-2 ,вдо забезпечувала вакуум 9 ,3» 10 На «Виготовляли вольфрамовий випарник S2 -подібної кон* фігурації з дрот у діаметром І мм, на робочу частину якого спі « рально намотували 1/ *• стрІчкуВ8Л~І, а проміжок мі» випарником І намоткою заповнювали двома- трьома ванадієвими стрічками Із слідуючими розмірами: довжина 40-45 мм,ширина 3,0 мм,товщина 0,3 мм. К І НЦІ випарника ,запресо вані в оболонк у з МІД І вак ^шої плавки.з допомогою силових затискачів ,виготовлених з титану,пІд~ еднували до джерела живлення з оптимальними режимами: напруга U » 8 В, струм І * 20U А* Температура випаровування задавалась величиною робочого струму І , І випарник попередньо градуювався по температурі. Для осадження плівок використовували ситалові підкладки,які в КІЛЬКОСТІ Ь ШТ* закріплювались на карусельному тримачі з відповідним підігрівом* швидкість конденсації складала 10 - 100 А /с ^то вщина оса джени х плівок /7 р а « І - I0U Ом/D * в ОД-1,0 мкм Д х

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for thin tungstic films obtaining by thermal resistive heating

Автори англійською

Susol Petro Ivanovych, Nabytovych Yosyp Dmytrovych, Varshava Slavomyr Stepanovych

Назва патенту російською

Способ получения тонких ванадиевых пленок термическим резистивным нагревом

Автори російською

Сусол Петр Иванович, Набитович Иосиф Дмитриевич, Варшава Славомир Степанович

МПК / Мітки

МПК: C23C 14/26, H01C 17/075

Мітки: резистивним, термічним, тонких, отримання, плівок, нагрівом, ванадієвих, спосіб

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-33147-sposib-otrimannya-tonkikh-vanadiehvikh-plivok-termichnim-rezistivnim-nagrivom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання тонких ванадієвих плівок термічним резистивним нагрівом</a>

Подібні патенти