Спосіб отримання p-n-p структури

Спосіб отримання p-n-р струїсгури, який здійснюється шляхом радіаційного опромінення напівпровідників р-типу провідності протонами, джерелом яких є прискорювач, який відрізняється тим, що опромінення напівпровідників р-типу провідності здійснюється а-частинками, які випромінюються ізотопом Ри 2 3 8 Винахід відноситься до електронної техніки і може бути використаний в приладобудуванні, напівпровідниковій мікроелектроніці P-n-р структури утворюються шляхом дифузії домішки (Берченко Н Н , Гейман К И , Матвеенко А В Методы получения р-п переходов и барьеров Шоттки в халькогенидах свинца и твердых растворах на их основе // Зарубежная электронная техника -1977 -№14, С 30-77) Описаний спосіб не забезпечує достатньо простого технологічного процесу через високу температуру термообробки, складність контролю глибини і профілю розподілення домішок Найбільш близьким до запропонованого винаходу є спосіб отримання р-п переходів, який здійснюється шляхом опромінення напівпровідників протонами (Logothetis Е М , Holloway Н , Vanga А І , lopson W I p-n junction in detectors made by proton bombardments of epitaxial PbTe -Appl Phys Lett, 1973, V 21, №9, pp 411 -413) Однак цей метод потребує складного технологічного обладнання для проведення процесу технологічного опромінення Завданням даного винаходу є отримання р-п-р структури із застосуванням процесу радіаційного опромінення Поставлене завдання вирішується тим, що для отримання p-n-р структури у напівпровідниках замість опромінення протонами, джерелом яких є прискорювач, використовується опромінення його поверхні ex-частинками, які випромінюються ізотопом Ри 2 3 8 Пропонований спосіб реалізується наступним чином Напівпровідник р-типу опромінюється плос копаралельним потоком а-частинок В результаті взаємодії високоенергетичних а-частинок з напівпровідником на глибині ~6мкм утворюється область n-типу шириною ~1мкм, що проводить до утворення p-n-р структури Приклад конкретного виконання Спосіб отримання p-n-р структури у напівпровідниках A I V B ' реалізується шляхом використання епітаксійних шарів селеніду свинцю р-типу провідності Шар PbSe вирощується методом гарячої стінки на монокристалічній підкладці BaF2, сколеній по площині (111) (Фреик Д М , Галущак М А , Межиловская Л И Физика и технология полупроводниковых пленок -Львов "Вища школа",1988 152с) Використовуються наступні технологічні режими температура підкладок ТП=423-623К, температура стінок камери ТС=833К, температура реактора для випарування основного матеріалу ТН=823К, температура додаткового джерела халькогену Tse-530K Концентрація носив заряду у шарах визначалась із вимірювань ефекту Холла і складала (1-3)-1017см 3 Зразки мали форму полосок довжиною ~5мм та шириною 0,4мм Товщина зразків складала 10-16мкм Поверхня отриманих зразків р-типу опромінюється а-частинками, які випромінюються ізотопом Ри 2 8 3 В результаті взаємодії високоенергетичних а-частинок з напівпровідником на глибині ~6мкм утворюється область п-типу шириною ~1мкм, що проводить до утворення p-n-р структури Отриманий матеріал з p-n-р структурою може бути використаний в приладобудуванні, напівпровідниковій мікроелектроніці со сч ю 52322 ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна ( 0 4 4 ) 4 5 6 - 2 0 - 90 ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)216-32-71